Благодаря новому методу подавления эффекта квантового туннелирования транзисторы станут еще более миниатюрными.

Эффект квантового туннелирования заключается в том, что при ширине изолирующего промежутка менее 3 нанометров электроны могут свободно «перепрыгивать» через него, делая изоляцию неэффективной. Данный феномен стал существенным препятствием на пути дальнейшей миниатюризации транзисторов, и, соответственно, увеличения их эффективности и быстродействия.

Однако  учёные из Columbia Engineering недавно сумели создать специальную молекулу. Её особенность заключается в том, что в присутствии такой молекулы эффект квантового туннелирования подавляется. Молекулу располагают в изоляционном промежутке нанометровой толщины, и она даёт гораздо более хороший результат по сравнению с вакуумным барьером, который на сегодняшний день является наиболее широко применяемым подходом к данной проблеме.

Молекулы на основе атомов кремния вызывают своим присутствием так называемое  "разрушительное квантовое вмешательство", которое по своей сути схоже с эффектом подавления электромагнитных  волн. Такое подавление получается, когда максимумы и минимумы двух волн находятся строго в противофазе относительно друг друга, и в результате сложения таких волн колебания полностью подавляются.

По словам Лэты Венкэтарамен (Latha Venkataraman), ученого-физика, исследователи уже давно достигли того порога, за которым обычные способы изоляции электродов транзисторов перестают быть эффективными. Сегодня для решения этих задач требуются новые подходы, которые дадут начало будущим прорывам  в области высокопроизводительной электроники.

Источник: qrz.ru

Назад