А-КОНТРАКТ на выставке ЭкпоЭлектроника – 2019

|   А-КОНТРАКТ на выставках

С 15 по 17 апреля компания А-КОНТРАКТ в очередной раз принимала участие в самой крупной российской выставке электронных компонентов, модулей и...

Далее

Системный подход к контролю качества изделий РЭА на контрактном производстве.

автор Сергей Патрушев | |   Статьи А-КОНТРАКТ

Читайте новую статью директора по качеству А-КОНТРАКТ, опубликованную в журнале Технологии в электронной промышленности, № 2, 2019 г.

Далее

Российские учёные создали экспериментальный образец 50-кубитного квантового компьютера.

|   Новости и обзоры отрасли

В течение последнего времени исследователи из МГУ активно работают над проектом изготовления демонстраторов 50-кубитных квантовых компьютеров на...

Далее

Подготовка производственных файлов. Часть 2.

|   Новости и обзоры отрасли

Файлы Gerber

Файлы Gerber – это стандартный для отрасли формат файлов для производителей печатных плат, который был разработан Gerber Systems Corp,...

Далее

Подготовка производственных файлов. Часть 1.

|   Новости и обзоры отрасли

Теперь, когда вы полностью спроектировали и задокументировали свой проект печатной платы, пришло время сфокусироваться на доставке всех элементов...

Далее

Куда следует подключать земли импульсных регуляторов?

|   Новости и обзоры отрасли

Разработчики импульсных источников питания часто сталкиваются с необходимостью решать, как поступить с аналоговой землей (AGND) и силовой землей...

Далее

А-КОНТРАКТ приглашает посетить свой стенд 375 на выставке ЭкспоЭлектроника.

|   А-КОНТРАКТ на выставках

Получите БЕСПЛАТНЫЙ пригласительный билет на выставку «ЭкспоЭлектроника 2019» - крупнейшую российскую выставку электронных компонентов, модулей и...

Далее

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 3.

|   Новости и обзоры отрасли

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного...

Далее

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 2.

автор Даниэль Койяма (Daniel Koyama), Апет Барсегян (Apet Barsegyan), Джон Уолкер (John Walker) Integra Technologies, Inc., El Segundo, CA 90245, США | |   Новости и обзоры отрасли

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях....

Далее

Мощные полупроводниковые SiC устройства теперь стали еще надёжнее благодаря совместным усилия Mitsubishi Electric и Токийского университета

|   Новости и обзоры отрасли

Мощные карбид кремниевые (SiC) полупроводниковые устройства в системах силовой электроники теперь стали еще надёжнее, об этом недавно сообщили...

Далее

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 1.

автор Даниэль Койяма (Daniel Koyama), Апет Барсегян (Apet Barsegyan), Джон Уолкер (John Walker) Integra Technologies, Inc., El Segundo, CA 90245, США | |   Новости и обзоры отрасли

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в...

Далее

Первая 3-нм тестовая микросхема - совместный проект Imec и Cadence.

|   Новости и обзоры отрасли

Исследователи научно-исследовательского центра imec и специалисты компания Cadence Design Systems рассказали о том, что в ходе длительной совместной...

Далее