Элементы памяти, широко применяемые сегодня, вскоре уступят место более перспективным запоминающим устройствам, действие которых основано на принципе переключения сопротивления. Учёные из группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с исследователями из Кореи выяснили, какое воздействие оказывает дефект поверхности электрода на характеристики ячейки резистивной памяти. Так с возрастанием толщины электрода шероховатость его поверхности также существенно увеличивается, и свойства ячейки памяти становятся гораздо лучше. Эти данные были представлены в журнале ACS Applied Materials & Interfaces.
