Химическое осаждение из газовой фазы (англ. Chemical Vapor Deposition, CVD) — это технологический процесс нанесения тонких плёнок твёрдых материалов на поверхность подложки в результате химических реакций между компонентами газовой смеси (прекурсорами), активируемых нагревом, плазмой (PECVD) или излучением. В микроэлектронике CVD является ключевым методом создания диэлектрических, проводящих и защитных слоёв с высокой чистотой и конформностью.
Технология и применение в электронике
Процесс проводится в вакуумной реакционной камере. Газообразные прекурсоры (например, силаны SiH₄, аммиак NH₃, кислород) подаются к нагретой подложке, где на поверхности происходят реакции разложения или восстановления с образованием твёрдого продукта. В производстве полупроводниковых приборов и сложных плат CVD используется для осаждения изоляционных слоёв диоксида кремния (SiO₂) или нитрида кремния (Si₃N₄), а также поликремния. Отдельным важным применением является газофазное осаждение полипараксилена (Parylene CVD) для нанесения высококачественных конформных защитных покрытий на готовые электронные модули.
Особенности и контроль
Процесс позволяет получать плёнки толщиной от десятков нанометров до микрометров с контролируемым составом и высокой однородностью. Ключевые контролируемые параметры — температура подложки, давление в камере, состав и скорость подачи газовой смеси. Оборудование для CVD относится к высокотехнологичному и выпускается компаниями Applied Materials, Lam Research, а для осаждения парилена — Specialty Coating Systems (SCS).
Источники: Специализированная литература по технологии тонких плёнок и микроэлектронике, техническая документация производителей оборудования, стандарты на конформные покрытия (IPC-CC-830).