Crede experto — Доверяй опытному !

Контрактное производство. Печатные платы. Монтаж печатных плат.

Печатные платы

Изготовление печатных плат всех видов. Производство плат любой сложности. Точность изготовления – до 5 класса. Массовое производство и опытные образцы.

Монтаж печатных плат

SMD и DIP монтаж печатных плат. Сложный монтаж печатных плат, большие и маленькие объёмы производства, включая изготовление опытных образцов. Электронные блоки для СВЧ.

Контрактное производство

Изделия электроники  от дизайн-проекта до промышленного производства! Комплексный подход и многоступенчатая система контроля качества изделий.

Электронные компоненты

Склад компонентов в Санкт-Петербурге. Выбор и поставка ЭК при изготовлении электронных блоков в рамках контрактного производства. 

Клавиатуры

Большой ассортимент силиконовых, мембранных и вандалозащищённых клавиатур. Стандартные изделия и изготовление под заказ.

Сервис и поддержка

Широкий спектр дополнительных смежных услуг обеспечивает максимально полное осуществление Ваших технологических решений.

А-Контракт Новости и события

А-КОНТРАКТ приглашает посетить свой стенд 375 на выставке ЭкспоЭлектроника.

Получите БЕСПЛАТНЫЙ пригласительный билет на выставку «ЭкспоЭлектроника 2019» - крупнейшую российскую выставку электронных компонентов, модулей и...

Далее

Открытие завода А-КОНТРАКТ в Старой Руссе

15 февраля 2019 г. в Старорусском подразделении А-КОНТРАКТ был открыт расширенный филиал контрактного производства по монтажу электронных блоков....

Далее
А-Контракт RSS — Новости

А-Контракт О нас

цех монтажа печатных плат

А-КОНТРАКТ осуществляет весь спектр услуг по контрактному производству изделий электроники.

Контрактное производство электронных блоков обеспечивает выполнение одним подрядчиком всех этапов по изготовлению изделий электроники, начиная с проектирования платы и заканчивая установкой изделия в корпус. Производство печатных плат в России и зарубежом.

Наши преимущества:

  • Существенно экономим время и деньги Вашей компании
  • Гарантируем высочайшее качество Ваших изделий благодаря комплексному подходу и многоступенчатой системе контроля
  • Осуществляем изготовление и монтаж печатных плат всех видов и любой сложности, а также обеспечиваем ряд смежных услуг по настройке блоков, их маркировке и корпусированию и многое другое.

Мы предлагаем:

Контрактная разработка электроники

Контрактное производство изделий РЭА

Продукция Отправить запрос

Запрос

request

Заполнить расширенную форму запроса на печатные платы.


Скачать бланк заказа печатных плат

Скачать бланк заказа монтажа печатных плат

// Публикации

Подготовка производственных файлов. Часть 1.

Теперь, когда вы полностью спроектировали и задокументировали свой проект печатной платы, пришло время сфокусироваться на доставке всех элементов вашего проекта производителю. Здесь начинается история производственных файлов – это группа выходных файлов, которые будут ответственны за четкую передачу ваших дизайнерский намерений, чтобы начать процесс производства и монтажа.

Далее

Куда следует подключать земли импульсных регуляторов?

Разработчики импульсных источников питания часто сталкиваются с необходимостью решать, как поступить с аналоговой землей (AGND) и силовой землей (PGND) при проектировании микросхемы импульсного регулятора. Технические специалисты, как правило, имеют дело с цифровой и аналоговой землей, поэтому при работе с силовой землёй у них могут возникнуть вопросы. Некоторые идут по простому пути, копируя разводку платы, принятую для выбранной микросхемы регулятора. Тем не менее следует понимать суть...

Далее

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 3.

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и спада для такого же транзистора с нормальным смещением затвора (то есть без селекторного импульса и последовательности) составляют 59нс и 15 нс соответственно. Очевидно, что должна быть задержка между...

Далее

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 2.

автор Даниэль Койяма (Daniel Koyama), Апет Барсегян (Apet Barsegyan), Джон Уолкер (John Walker) Integra Technologies, Inc., El Segundo, CA 90245, США |

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях. Детектор используется для того, чтобы почувствовать, когда подается радиочастотный сигнал на транзистор. Серийный MOSFET с устройством GaN сначала выключается, напряжение, поданное на затвор устройства GaN, затем устанавливается на требуемую величину для достижения желаемого тока покоя, и затем MOSFET включается. Когда правильный сдвиг затвора...

Далее

Мощные полупроводниковые SiC устройства теперь стали еще надёжнее благодаря совместным усилия Mitsubishi Electric и Токийского университета

Мощные карбид кремниевые (SiC) полупроводниковые устройства в системах силовой электроники теперь стали еще надёжнее, об этом недавно сообщили специалисты корпорации Mitsubishi Electric и Токийского университета.

Далее

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 1.

автор Даниэль Койяма (Daniel Koyama), Апет Барсегян (Apet Barsegyan), Джон Уолкер (John Walker) Integra Technologies, Inc., El Segundo, CA 90245, США |

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Показано, что смещение класса A/B приводит к общей эффективности, которая как правило на 5-10% меньше чем эффективность во время импульса, а также к генерации значительного дробового шума в период выключения, который может вызвать десенсибилизацию приемника. Описывается новый автоматический селекторный импульс...

Далее

Первая 3-нм тестовая микросхема - совместный проект Imec и Cadence.

Исследователи научно-исследовательского центра imec и специалисты компания Cadence Design Systems рассказали о том, что в ходе длительной совместной работы двух организаций была создана первая в отрасли тестовая микросхема, рассчитанная на изготовление по нормам 3 нм. На данный момент изделие проходит стадию подготовки к производству и вскоре будет допущено к промышленному выпуску.

Далее

Концепции целостности сигнала: перекрестные помехи. Часть 3.

Снижение перекрестных помех

Один из основных способов снижения перекрестных помех на дальнем конце – это снижение длины связывания между двумя дорожками. В качестве эксперимента длина связывания была уменьшена с 10 дюймов до 5. Был смоделирован еще один нарастающий фронт и результаты этого показаны на Рис.8. Как можно видеть, теперь пик на дальнем конце сократился с -360 мВ до -250 мВ! Величина импульса NEXT осталась 44 мВ и 66 мВ для микрополосковой и полосковой линий соответственно.

 

Далее