Контрактное производство. Печатные платы. Монтаж печатных плат.

Теперь, когда вы полностью спроектировали и задокументировали свой проект печатной платы, пришло время сфокусироваться на доставке всех элементов вашего проекта производителю. Здесь начинается история производственных файлов – это группа выходных файлов, которые будут ответственны за четкую передачу ваших дизайнерский намерений, чтобы начать процесс производства и монтажа.

Разработчики импульсных источников питания часто сталкиваются с необходимостью решать, как поступить с аналоговой землей (AGND) и силовой землей (PGND) при проектировании микросхемы импульсного регулятора. Технические специалисты, как правило, имеют дело с цифровой и аналоговой землей, поэтому при работе с силовой землёй у них могут возникнуть вопросы. Некоторые идут по простому пути, копируя разводку платы, принятую для выбранной микросхемы регулятора. Тем не менее следует понимать суть...

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и спада для такого же транзистора с нормальным смещением затвора (то есть без селекторного импульса и последовательности) составляют 59нс и 15 нс соответственно. Очевидно, что должна быть задержка между...

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях. Детектор используется для того, чтобы почувствовать, когда подается радиочастотный сигнал на транзистор. Серийный MOSFET с устройством GaN сначала выключается, напряжение, поданное на затвор устройства GaN, затем устанавливается на требуемую величину для достижения желаемого тока покоя, и затем MOSFET включается. Когда правильный сдвиг затвора...

Мощные карбид кремниевые (SiC) полупроводниковые устройства в системах силовой электроники теперь стали еще надёжнее, об этом недавно сообщили специалисты корпорации Mitsubishi Electric и Токийского университета.

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Показано, что смещение класса A/B приводит к общей эффективности, которая как правило на 5-10% меньше чем эффективность во время импульса, а также к генерации значительного дробового шума в период выключения, который может вызвать десенсибилизацию приемника. Описывается новый автоматический селекторный импульс...

Исследователи научно-исследовательского центра imec и специалисты компания Cadence Design Systems рассказали о том, что в ходе длительной совместной работы двух организаций была создана первая в отрасли тестовая микросхема, рассчитанная на изготовление по нормам 3 нм. На данный момент изделие проходит стадию подготовки к производству и вскоре будет допущено к промышленному выпуску.

Снижение перекрестных помех

Один из основных способов снижения перекрестных помех на дальнем конце – это снижение длины связывания между двумя дорожками. В качестве эксперимента длина связывания была уменьшена с 10 дюймов до 5. Был смоделирован еще один нарастающий фронт и результаты этого показаны на Рис.8. Как можно видеть, теперь пик на дальнем конце сократился с -360 мВ до -250 мВ! Величина импульса NEXT осталась 44 мВ и 66 мВ для микрополосковой и полосковой линий соответственно.