Эффект образования «кратеров»

термин: Эффект образования «кратеров»
англ. Bond Cratering
значение термина:

Такой дефект разварки, при котором в материале кристалла появляются воронки («кратеры») в местах крепления проволочных выводов к контактным площадкам.

Эффект образования кратеров (bond cratering) — это критический микроскопический дефект, возникающий в процессе ультразвуковой термокомпрессионной сварки (thermosonic wire bonding), когда под контактной площадкой (bond pad) на поверхности кремниевого кристалла (die) образуются трещины или выкрашивания материала. Визуально это напоминает кратер, отсюда и название. Дефект является скрытым (latent defect) и может привести к катастрофическому отказу микросхемы в процессе эксплуатации под воздействием механических нагрузок или термоциклирования. Он напрямую связан с технологией первого соединения — шариковой сварки (ball bonding).

Причины возникновения

Дефект возникает из-за чрезмерного механического напряжения, передаваемого через шарик сварки (bond ball) на хрупкий кремний и диэлектрические слои под контактной площадкой. Основные факторы:

  1. Избыточное усилие сжатия (bonding force) при формировании шарика.

  2. Чрезмерная мощность ультразвука (ultrasonic power).

  3. Повышенная температура подложки (substrate temperature).

  4. Неправильные свойства металлизации контактной площадки (толщина, адгезия к подложке).

  5. Хрупкость или внутренние дефекты материала кристалла в зоне контактной площадки.

Последствия и контроль

Кратер создаёт точку концентрации напряжения, откуда может начаться рост трещины, приводящий к полному отслоению металлизации (lifted metallization) или разрушению кристалла. Дефект не обнаруживается стандартными методами неразрушающего контроля (NDT) после сборки. Для его выявления применяются деструктивные методы контроля качества: декапсуляция корпуса (decapsulation) и последующее травление или сканерная акустическая микроскопия (Scanning Acoustic Microscopy, SAM), позволяющая визуализировать дефекты под поверхностью.

Профилактика заключается в строгой оптимизации и стабилизации параметров сварочного процесса (усилия, мощности, времени, температуры) в соответствии с рекомендациями стандарта IPC-7091 для flip-chip и wire bonding, а также в использовании кристаллов с усиленной структурой под контактными площадками.

Значение для контрактного производства корпусов

Для контрактных производителей, занимающихся корпусированием микросхем (assembly and packaging), наличие эффективного контроля этого дефекта является признаком высокого технологического уровня и обязательно требуется для поставки высоконадёжных изделий, особенно для автомобильной, аэрокосмической и военной отраслей.


Источники: Стандарт IPC-7091 (Design and Assembly Process Implementation for Flip Chip and Wire Bond BGA), технические статьи и исследования по надёжности полупроводниковых приборов и процессам корпусирования.

Синонимы, переводы: Bond Cratering, Эффект кратера, кратерообразование, растрескивание под сварным соединением, cratering defect
Тип термина: definition
Язык термина (ISO код, 2 символа): en
← вернуться
Задать вопрос