Отверстие-в-площадке и короткая длина отверстий
В статье Богатина приводится частичная собственная индуктивность микроотверстия в 2 мил глубиной и 1 мил в диаметре, составляющая менее чем 10 pH (где pH = pico-Henrys), тогда как у просверленного отверстия 10 мил диаметром и 32 мил глубиной собственная индуктивность составляет почти 200 pH[2]. Это очень значительно для разработок с более высокой частотой. Богатин продолжает, что на 300 МГц импеданс HDI микроотверстия только 18 миллиОм по сравнению с 400 миллиОм у сквозного отверстия. Снижение индуктивности отверстия-в-площадке даже еще более драматично. Один из самых больших источников индуктивности на устройствах и развязывающих конденсаторах – это комбинация трассировки по мощности и заземлению. При размещении микроотверстия на площадке для поверхностного монтажа эта индуктивность уменьшается до практически нуля. Это по сравнению с обычной дорожкой к сквозному отверстию в 20 мил будет около 500 pH на петлю индуктивности. Эта разница в петлях показана на Рис.7.
