Разварка СВЧ компонентов
Разварка кристаллов
А-КОНТРАКТ предлагает услугу разварки СВЧ бескорпусных элементов в глубоком колодце золотой проволокой, диаметром от 12 мкм до 60 мкм и золотой лентой, размерами до 0.8х0.025 мм.
- Разварка выполняется только по поверхности проводников, покрытых гальваническим золотом толщиной не менее 2 мкм.
- Минимальные контактные площадки для разварки составляют 70х70 мкм, для меньших размеров оговаривается дополнительно.
- Процесс происходит при температуре 150 градусов по Цельсию.
- Тип разварки клин-клин или шарик-клин.
- Операция выполняется на современных полуавтоматических установках фирм Delvotek и TPT.
- Качественный процесс выполненный на современном оборудовании.
Монтаж кристаллов проводится с использованием материалов фирм Diemat и Epotek на оборудовании для разварки кристаллов швейцарской фирмы Dr.Tresky. Возможны варианты установки кристаллов на клеи или различного вида преформы из эвтектических и не эвтектических сплавов.
Технологический процесс разварки кристаллов осуществляется при помощи микросварки, которая создает проволочное соединение между площадками кристалла и подложки, т.о. между ними возникает электрический контакт.
Полуавтоматические установки микросварки фирм Delvotek и TPT позволяют производить соединение проволокой и лентой, как опытных образцов, так и серийных изделий. Разварка кристаллов может производится в «глубоком колодце», что актуально для СВЧ изделий. Технологические возможности процессов разварки кристаллов приведены в таблице. Перед операцией микросварки производится плазменная очистка поверхности в камере американской фирмы YES. Установка YESG-500 имеет габариты камеры 450х450х210 мм и позволяет проводить процесс обработки с использованием до 3-х газов.
Микросварка | ||
Материал проволоки и ленты | золото | Алюминий по согласованию |
Варианты соединений | Шарик-клин, клин-клин |
|
Толщина проволоки | 17-50 мкм |
|
Размеры ленты | 20×200 мкм | максимум |
Глубина колодца при разварке | 16 мм | В зависимости от конструктива |
Температура сварки | 120-160° С |
|
Размер столика | диам. 60 мм, 80 мм |
|
Монтаж | ||
Клеи | Diemat, Epotek, ТОК-1, ТОК-2 |
|
Преформы | Pfarrstanztechnik |
|
Рабочая область | 100×100 мм |
|
Глубина колодца | 16 мм | В зависимости от конструктива |
Точность позиционирования | ±15 мкм |
|
Упаковка кристаллов | Gel-pack, Waffle-pack |
|
|
|
|
Обеспечение теплоотвода от монолитных интегральных схем гибридного усилителя мощности Ка-диапазона
В одной из работ по созданию передающего модуля Ка-диапазона при монтаже мощных бескорпусных монолитных интегральных схем усилителей (МИС СВЧ) возник вопрос отведения тепла от кристалла МИС СВЧ усилителя. При этом технологические ограничения не позволяли использовать широко известный эвтектический сплав AuSi с высоким коэффициентом теплопроводности. Оставался выбор между низкотемпературной пайкой и вклеиванием.
Так как тепловыделение современных мощных МИС СВЧ составляет 1 - 2 Вт/мм² а в некоторых случаях и более, при максимальной рабочей температуре ее транзисторных структур не выше 150 °С., нормальная работа таких монолитных интегральных схем невозможна без обеспечения хорошего теплоотвода.
Для устройств с высокой надежностью и мощными источниками тепла в этом случае целесообразно применять гибридную технологию, обеспечивающую самые низкие значения теплового сопротивления между МИС СВЧ и корпусом. Существуют два метода установки кристаллов в корпус: впаивание и вклеивание. Впаивание обеспечивает меньшее тепловое сопротивление кристалл-основание-корпус, но требует высоких температур в процессе пайки. Вклеивание же позволяет обойтись более низкими температурами в процессе монтажа. Появление на рынке материалов электропроводящего клея фирмы Diemat с теплопроводностью 60 Вт м-1 K-1 для монтажа бескорпусных МИС СВЧ, позволяет заменить процесс пайки склеиванием.
Дополнительная информация: