Технологии, исследования, инновации

Больше лучше

Учитывая требования LTE для включения программно-определяемой антенны в клиентское устройство, проект антенны должен быть приспособлен к низко частотным диапазонам – таким как диапазоны 12, 13, 17 и 5 – также как к высокочастотным диапазонам (1, 2, 3 и 4, например). Требования…

Известно, что нитриды галлия, в отличие от своего аналога – арсенида галлия, дают возможность создавать СВЧ- устройства, обладающие большей мощностью и функционирующие при больших температурах. До недавнего времени устройства, изготавливаемые в России, с использованием нитрида галлия требовали…

Количество устройств, связанных с сотовыми сетями, продолжает постоянно увеличиваться, причем они охватывают потребительские, промышленные и корпоративные устройства. По мере того, как сети становятся более перегруженными и насыщенными, необходимо усовершенствовать системный уровень, чтобы учесть…

Кремниевые наноструктуры нашли широкое применение во многих отраслях науки и промышленности: в электронике, биомедицине, оптоволоконной оптике, солнечной энергетике и др. Наибольший интерес сегодня вызывают кремниевые нанонити диаметром около 100 нм. Такие нанонити используются при изготовлении…

В течение последнего времени исследователи из МГУ активно работают над проектом изготовления демонстраторов 50-кубитных квантовых компьютеров на основе нейтральных атомов и интегральных оптических схем. В планах разработчиков осуществить задуманное к 2021 году.

Разработчики импульсных источников питания часто сталкиваются с необходимостью решать, как поступить с аналоговой землей (AGND) и силовой землей (PGND) при проектировании микросхемы импульсного регулятора. Технические специалисты, как правило, имеют дело с цифровой и аналоговой землей, поэтому при…

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и…

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях. Детектор используется для того, чтобы почувствовать, когда подается радиочастотный сигнал на транзистор. Серийный MOSFET с устройством GaN сначала…

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Показано, что смещение класса A/B приводит к общей эффективности, которая как правило на 5-10% меньше чем…

Так как был создан нарастающий фронт импульса, вопрос состоит в том, почему дальний конец показал отрицательный пик? Согласно закону Ленца, который описывает направление циркуляции тока, индуктивно связанный шум, распространяющийся в направлении дальнего конца, будет показывать отрицательный пик.…