Достижение одновременно и высокой линейности, и высокой эффективности в радиочастотном (РЧ – англ. RF) усилителе мощности (УМ – англ. РА) является непростой задачей. Стандартные разработки для высокоэффективных УМ (то есть КПД мощности более 40% постоянного тока) предполагают действующие устройства…
Ученые Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС») совместно с коллегами из Университета штата Небраска разработали методику, которая даст возможность существенно уменьшить габариты транзисторных элементов для электроники.
Наиболее простой метод регулировки переменного напряжения – это применение повышающей или понижающей схем (Рисунок 6). Способ формирования и функционирования их силовой части не имеет отличий от таких же схем преобразователей постоянного напряжения, если не учитывать тот факт, что силовые ключи…
Разработчики РЭА уже давно столкнулись с проблемой необходимости уменьшения индуктивных элементов, являющихся самыми массивными, объёмными дорогостоящими узлами в электронном устройстве.
Течение электрического тока на квантовом уровне можно представить в виде ручья с тонкой рябью на поверхности. «Рябь» появляется вследствие отталкивания электронов и других квантовых явлений в "узких местах" или местах дефектов, которые появились в компонентах в процессе их изготовления. Данные…
ЭХМ – электрохимическая миграция – оказывает большое влияние на корректное функционирование и длительность эксплуатации устройств РЭА, именно ЭХМ зачастую является первопричиной возникновения дефектов электронного блока.
Компания Atmosic Technologies, работающая в области поставок полупроводников, представила трехэтапный план по разработке «вечной батареи». Начало реализации плана было положено, когда компания изготовила два новых микрочипа с низким энергопотреблением для платформы Bluetooth 5. Специалисты Atmosic…
Базой для приведённой ниже схемы является традиционный двухтранзисторный источник тока (Рисунок 1). Ток, идущий через резистор R1, зависит только от напряжения VBE (база-эмиттер) транзистора Q2 и от сопротивления самого R1. Напряжение VBE транзистора Q1 на выходной ток не влияет. Как правило,…
Torex Semiconductor продемонстрировала новую серию LDO регуляторов XC6237 со сверхнизким потреблением тока. Для производства новых регуляторов используются миниатюрные тонкие корпуса, которые возможно использовать в устройствах IoT, а также в изготовлении носимой электроники.
