Технологии, исследования, инновации

Известно, что нитриды галлия, в отличие от своего аналога – арсенида галлия, дают возможность создавать СВЧ- устройства, обладающие большей мощностью и функционирующие при больших температурах. До недавнего времени устройства, изготавливаемые в России, с использованием нитрида галлия требовали…

Количество устройств, связанных с сотовыми сетями, продолжает постоянно увеличиваться, причем они охватывают потребительские, промышленные и корпоративные устройства. По мере того, как сети становятся более перегруженными и насыщенными, необходимо усовершенствовать системный уровень, чтобы учесть…

Кремниевые наноструктуры нашли широкое применение во многих отраслях науки и промышленности: в электронике, биомедицине, оптоволоконной оптике, солнечной энергетике и др. Наибольший интерес сегодня вызывают кремниевые нанонити диаметром около 100 нм. Такие нанонити используются при изготовлении…

В течение последнего времени исследователи из МГУ активно работают над проектом изготовления демонстраторов 50-кубитных квантовых компьютеров на основе нейтральных атомов и интегральных оптических схем. В планах разработчиков осуществить задуманное к 2021 году.

Разработчики импульсных источников питания часто сталкиваются с необходимостью решать, как поступить с аналоговой землей (AGND) и силовой землей (PGND) при проектировании микросхемы импульсного регулятора. Технические специалисты, как правило, имеют дело с цифровой и аналоговой землей, поэтому при…

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и…

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях. Детектор используется для того, чтобы почувствовать, когда подается радиочастотный сигнал на транзистор. Серийный MOSFET с устройством GaN сначала…

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Показано, что смещение класса A/B приводит к общей эффективности, которая как правило на 5-10% меньше чем…

Так как был создан нарастающий фронт импульса, вопрос состоит в том, почему дальний конец показал отрицательный пик? Согласно закону Ленца, который описывает направление циркуляции тока, индуктивно связанный шум, распространяющийся в направлении дальнего конца, будет показывать отрицательный пик.…

Современные технологии в области микроэлектроники уже давно стоят на границе, по ту сторону которой начинают действовать ограничения, обусловленные минимально допустимыми размерами отдельных частей электронных компонентов. Однако учёные идут по пути решения этой проблемы. Так исследователям из …