«Эффект фиксатора» — шаг на пути к эпохе 6G

Международная группа исследователей в ходе работ с полупроводниковыми материалами на основе нитрида галлия (GaN) сумела разработать эффективный метод повышения их производительности. По мнению учёных, новая технология станет существенным вкладом в развитие 6G.

Как известно, для внедрения 6G необходимо существенно увеличить скорость передачи данных, поскольку это является ключевым фактором для использования беспроводной связи в таких сферах, как беспилотный транспорт, иммерсивная виртуальная реальность и моментальная медицинская диагностика. Для этого, в свою очередь, требуются такие электронные устройства, которые будут способны обрабатывать большое количество входящих данных на сверхвысоких частотах.

Учёные разработали новую архитектуру РЧ-усилителей, созданных на основе нитрида галлия. Для своей разработки исследователи применили ранее неизвестное физическое явление, благодаря которому можно стабильно управлять током на высоких частотах. Это свойство назвали «эффектом фиксатора».

В ходе работы над этим проектом был протестирован специальный тип транзисторов — полевые транзисторы с эффектом сверхрешетки (SLCFET). Особенностью этих устройств является то, что движение тока в них направляют более тысячи наноребер шириной менее 100 нанометров. Эксперименты показали, что такие транзисторы демонстрируют рекордную производительность в W-диапазоне (75–110 ГГц), а это именно те частоты, которые будут применяться в сетях 6G. Более того, при длительных испытаниях устройства показывают хорошую устойчивость к нагрузкам без признаков деградации даже при долгосрочном использовании.

По словам учёных, «эффект фиксатора», возникающий в структуре GaN, поможет обеспечить стабильную и высокочастотную работу устройств 6G.

По материалам ixbt.com

Задать вопрос