Будущее 3D-печати: пять прогнозов от компании Jabil. Часть 1.

автор Раш ЛаСель (Rush LaSelle); Перевод: Сергей Шихов | |   Статьи А-КОНТРАКТ

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 7’2021 опубликована новая статья.

Далее

Монтаж компонентов типоразмера 030015 и другие возможности производственной базы А-КОНТРАКТ с новыми установщиками ASM Siplace SX2

|   Новости А-КОНТРАКТ

На производственной площадке А-КОНТРАКТ завершилась инсталляция и наладка новых автоматов ASM Siplace SX2 с программным обеспечением ASM Works,...

Далее

Компания Texas Instruments разработала новую микросхему

|   Новости и обзоры отрасли

Компания Texas Instruments разработала новую микросхему с конструкцией, предполагающей изолированный DC/DC преобразователь с интегрированным трансформатором. Ранее Texas Instruments (TI) запатентовала новую технологию интегрального трансформатора - 500-милливаттный высокоэффективный изолированный DC/DC преобразователь UCC12050 , имеющий минимальный по сравнению с аналогами уровень излучаемых электромагнитных помех. Новая микросхема TI была создана на базе этой технологии.

микросхема

Новая микросхема имеет на 80% меньший объём по сравнению с дискретными решениями и на 60% - по сравнению с модулями питания благодаря корпусу выстой 2,65 мм, при этом КПД новой микросхемы больше в 2 раза по сравнению с аналогичными устройствами.  Микросхема защищена от высоковольтных бросков напряжения при помощи усиленной изоляции 5 кВ с.к.з. с рабочим напряжением 1,2 кВ с.к.з., что делает её оптимальной для использования в промышленных приложениях в системах промышленного транспорта, сетевой инфраструктуру и в медицинском оборудовании.

Упрощенная схема включения UCC12050.

Упрощенная схема включения UCC12050.

Оригинальная технология TI предполагает высокую плотность изолированного DC/DC преобразования при низком уровне электромагнитных помех. При поверхностном монтаже электронных модулей преимуществом низкопрофильных микросхем, выполненных по данной технологии TI, является размещение в одном корпусе конструкции, позволяющей уменьшить количество дополнительных компонентов. При этом микросхема демонстрирует стабильную работу в широком диапазоне температур. Трансформатор микросхемы оптимизирован по уровню излучаемых помех и величине проходной емкости, а схема является малошумящей – всё это делает более простым выполнение требований электромагнитной совместимости, обеспечивая при этом надежное решение с вариантами усиленной или базовой изоляции.

Типовая зависимость КПД от тока нагрузки при входном напряжении 5.0 В.

Типовая зависимость КПД от тока нагрузки при входном напряжении 5.0 В.

 Основные особенности и преимущества новой микросхемы:

  • Уменьшенные габариты, повышенная плотность мощности
  • Сверхнизкий уровень излучаемых помех
  • Усиленная изоляция, широкий температурный диапазон

Источник: rlocman.ru

Назад