Новая микросхема имеет на 80% меньший объём по сравнению с дискретными решениями и на 60% - по сравнению с модулями питания благодаря корпусу выстой 2,65 мм, при этом КПД новой микросхемы больше в 2 раза по сравнению с аналогичными устройствами. Микросхема защищена от высоковольтных бросков напряжения при помощи усиленной изоляции 5 кВ с.к.з. с рабочим напряжением 1,2 кВ с.к.з., что делает её оптимальной для использования в промышленных приложениях в системах промышленного транспорта, сетевой инфраструктуру и в медицинском оборудовании.
