Создан новый микрочип с 6 000 транзисторов, которые имеют толщину всего в 3 атома
Для создания нового микрочипа учёные использовали в качестве проводника дисульфид молибдена. Этот материал представляет собой слой атомов молибдена, который расположен между слоями атомов серы. Данное решение может иметь большие перспективы в разработке новых технологий производства электроники в пост-кремниевую эру.
На сегодняшний день применение 2D материалов для изготовления электронных устройств хорошо изучено и используется на практике уже более 10 лет. Однако дальнейшее развитие этой технологии имеет серьезные ограничения, которые заключаются в том, что она плохо масштабируется, имеет невысокую воспроизводимость и сложно совместима с производством в промышленных масштабах.
Новый микрочип сможет решить эту проблему. Он произведен с применением технологий CMOS и состоит из 5931 транзисторов из дисульфида молибдена. Это в 38 раз больше, чем имеет самая большая на сегодняшний день 2D логическая схема. Это реальная альтернатива кремниевым технологиям, которая поможет вывести двумерные полупроводниковые материалы на новый уровень и внедрить их в промышленное производство электроники.
Новый микрочип имеет архитектуру RISC-V, что позволяет ему эффективно выполнять стандартные 32-битные инструкции. Процессор изготовлен с использованием сапфировой подложки, обладающей свойством электронного изолирования транзисторов друг от друга. Для нового чипа также была создана полная стандартная библиотека ячеек, содержащая 25 типов логических элементов, способных осуществлять базовые функции И и ИЛИ.
Учёные планируют использовать полученный опыт для дальнейшей работы в области исследований возможностей применения 2D интегральных схем для применения в таких приложениях как вычислительные чипы для терминалов Интернета вещей и интеллектуальные сенсорные чипы. Это поможет наглядно показать конкурентоспособность 2D полупроводников для производства электроники, а также даст фундамент, на котором в последующем можно будет осуществлять разработку чипов с более высокой плотностью.
По материалам: russianelectronics.ru