А-КОНТРАКТ: мы внедряем Индустрию 4.0 в контрактное производство электроники

|   Статьи А-КОНТРАКТ

В журнале "Компоненты и Технологии" №8, 2021 было опубликовано интервью с руководителями А-КОНТРАКТ, Максимом Поляничко и Сергеем Фёдоровым. Статья...

Далее

Информация по применению серии AN-007 сравнительный обзор полупроводниковых приборов, выполненных на основе GaN, Si и GaAs для ВЧ- и СВЧ-устройств.

|   Статьи А-КОНТРАКТ

Часть 2.

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «СВЧ-электроника» №2' 2021 опубликована новая статья.

 

Далее

Кремний в микроэлектронике вскоре будет заменён благодаря новой технологии, разработанной отечественными учёными.

|   Новости и обзоры отрасли

Ученые Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС») совместно с коллегами из Университета штата Небраска разработали методику, которая даст возможность существенно уменьшить габариты транзисторных элементов для электроники.

На сегодняшний день при изготовлении полупроводниковой электроники используют преимущественно кремний. Но учёные и исследователи считают, что замена кремния другим материалом сможет положительно сказаться на характеристиках изделий.

 

В настоящее время при производстве в качестве основного материала используют кремний. Однако специалисты сходятся во мнении, что отказ от него в пользу другого сырья поспособствует улучшению характеристик устройств. В качестве одной из альтернатив рассматривалось соединение сплава титан-цирконий с чистой серой. Такое вещество даёт возможность довольно точно управлять характеристиками изготовленных полупроводниковых тонких лент, используемых в технических средствах.

В процессе разработки новой технологии исследователям удалось разрешить задачу, которая ранее ставила в тупик других учёных, работающих над той же задачей. Сложность заключалась в том, что разработчики не могли получить весь спектр соединений, который позволил бы управлять как электрическими, так и оптическими свойствами материалов.

Российские и американские учёные пришли к выводу, что нарушение однородности веществ происходит из-за крупных восьмиугольников, появляющихся в их структуре под действием кристаллизации. Справиться с этой проблемой удалось посредством  понижения температуры, благодаря чему раствор приобретал твёрдую форму.

В результате исследователям удалось получить полупроводниковые компоненты , которые оказались в 10 раз тоньше своих существующих аналогов (например, были получены плёнки толщиной не более  1 нм), что поможет повысить производительность конечных изделий электроники.

Источник: politexpert.net

Назад