Отечественные учёные нашли способ управлять свойствами плёнок из титана стронция

24.02.2025 | Новости Материалы, полупроводники ● a-contract.ru

Международная группа исследователей, в которую вошли учёные из российских, чешских и финских институтов, разработала технологию изготовления тонких плёнок титана стронция с требуемыми диэлектрическими свойствами. В процессе экспериментов было изучено воздействие примесей на стабильность сегнетоэлектрического состояния материала в различных температурных условиях. Полученный материал с заданными диэлектрическими характеристиками найдёт применение в электронных устройствах, работающих в микроволновом диапазоне, а также в накопителях электроэнергии и блоках памяти компьютеров.

новое поколение материалов для электроники

Кристаллический материал титанат стронция (SrTiO₃) широко используется в производстве электроники, которая предназначена для функционирования на микроволновых частотах. Этот материал способен находиться в фазе сегнетоэлектрика, при которой у него возникают несколько стабильных состояний поляризации. И при воздействии электрическим полем состояния могут переключаться, что похоже на перевод бита из 0 в 1 и обратно. Данное свойство даёт возможность на основе сегнетоэлектриков получать ячейки памяти, которые могут стать заменой жёстких дисков. Благодаря высокой диэлектрической проницаемости и низким потерям при передаче электрического сигнала на СВЧ-частотах, а также за счёт возможности настраивать свойства материала в широком диапазоне титанат стронция является перспективным материалом для использования во многих изделиях электроники.

Учёные разработали исследовательскую программу, которая позволит точно определить все способы настройки диэлектрических свойств титаната стронция, что позволит создавать соединения с точно определённой диэлектрической проницаемостью.

Исследование имеет практическое значение: тонкие плёнки с заданными уникальными диэлектрическими свойствами кристаллов могут быть интегрированы в микросхемы, что откроет новые перспективы в производстве микроэлектроники.

По материалам zanauku.mipt.ru