Уменьшение отрицательного напряжения на управляющей микросхеме
В случае, когда напряжение становится слишком низким относительно земли, защита от электростатических разрядов или прочие цепи микросхемы управления смещаются в прямом направлении, что, в свою очередь, вызывает протекание токов сквозь подложку микросхемы. Результатом такого дефекта становится либо некорректная работа микросхемы, либо её выход из строя.
Очевидно, что полностью избавиться от появления отрицательных напряжений в коммутационном узле не представляется возможным, поэтому нужно стремиться к тому, чтобы напряжение на управляющей микросхеме оставалось достаточно высоким, чтобы не оказывать отрицательного влияния на микросхему и не повреждать её.
Осциллограмма А на Рисунке 2а демонстрирует форму напряжения в коммутационном узле при VIN = 12 В, VOUT = 3.5 В и токе 8 А. При открытом верхнем MOSFET выходной ток проходит через него и через дроссель. В этот момент напряжение в коммутационном узле равняется VIN.
При этом нижний MOSFET остаётся закрытым до полного выключения верхнего MOSFET. После закрытия верхнего MOSFET ток проходит из земли через нижний MOSFET и выходной дроссель. Период времени между выключением верхнего MOSFET и включением нижнего MOSFET называется «мёртвым временем». В этот промежуток времени ток течёт через паразитный диод нижнего MOSFET, и напряжение коммутационного узла в это время равняется примерно –1 В (точное значение определяется уровнями тока и параметрами MOSFET). После того как нижний MOSFET становится открытым, ток начинает идти не через паразитный диод, а через МОП-структуру. В этот период напряжение имеет зависимость от выходного тока и сопротивления MOSFET.
Читать полный текст статьи «Уменьшение отрицательного напряжения на управляющей микросхеме» в первоисточнике.
