Высокая энергоэффективность и экологичность новых карбид-кремниевых MOSFET серии CoolSiC

15.06.2021 | Новости Электронные компоненты ● a-contract.ru

Новая технология появилась в результате сочетания многолетнего опыта работы компании в данной сфере и разработанного ноу-хау в области силовой электроники.

Если сравнить обычные ключи на базе кремния (например, как IGBT и MOSFET) с карбид-кремниевыми (SiC), то станет очевидным, что последние имеют ряд неоспоримых преимуществ. Устройства CoolSiC™ производятся на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они оптимальны в качестве:

инверторов для солнечной энергетики
систем хранения энергии
электроприводов
зарядных устройств
ключевых источников питания

Помимо прочего, карбид-кремниевые транзисторы имеют превосходные характеристики, надёжны в эксплуатации и просты в применении в разработках. Благодаря технологии CoolSiC™ КПД и надёжность карбид-кремниевых MOSFET действительно выводят силовую электронику на качественно новый уровень.

Источник: rlocman.ru