Высокая энергоэффективность и экологичность новых карбид-кремниевых MOSFET серии CoolSiC

Новая технология появилась в результате сочетания многолетнего опыта работы компании в данной сфере и разработанного ноу-хау в области силовой электроники.

Если сравнить обычные ключи на базе кремния (например, как IGBT и MOSFET) с  карбид-кремниевыми (SiC), то станет очевидным, что последние имеют ряд неоспоримых преимуществ. Устройства  CoolSiC™ производятся на  напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они оптимальны в качестве:

  • инверторов для солнечной энергетики
  • систем хранения энергии
  • электроприводов
  • зарядных устройств
  • ключевых источников питания

Помимо прочего, карбид-кремниевые транзисторы имеют превосходные характеристики, надёжны в эксплуатации и просты в применении в разработках.  Благодаря технологии CoolSiC™ КПД и надёжность карбид-кремниевых MOSFET действительно выводят силовую электронику на качественно новый уровень.

Источник: rlocman.ru

Задать вопрос