Технические возможности изготовления печатных плат

Параметры механической обработки*

Максимальное количество слоев до 40
Максимальный размер платы ДПП 533,4 * 730 мм
МПП 533,4 * 730 мм
Минимальная толщина платы ДПП 0,2 мм
4-х слойные 0,4 мм
6-ти слойные 0,6 мм
Максимальная толщина платы ДПП 4.8мм
4-х слойные 4.8мм
6-ти слойные 4.8мм
Мин. диаметр металлизированного отверстия 100 мкм
Мин. диаметр неметаллизированного отверстия 200 мкм
Отношение мин. диаметра отверстия к толщине платы 1:16
Мин. ширина внутреннего выреза (фрезеровка) 0.45мм
Толщина медной фольги 9, 12, 18, 35, 50, 70, 100, 150, 200 мкм

Параметры проводников площадок и зазоров

Минимальный проводник внутренние слои 0,05 мм
внешние слои 0,05 мм
Минимальный зазор внутренние слои 0,05 мм
внешние слои 0,05 мм
Минимальный зазор между проводником и краем платы внутренние слои 0,2 мм
внешние слои 0,2 мм
Минимальный зазор между отверстием и краем платы 0,38 мм
Минимальный зазор между отверстием и проводником 0,25 мм
Мин. площадка металлизированного отверстия 0,45 мм (0,3 мм - microvia)

Параметры маскирующего покрытия

Возможные цвета Зеленая, желтая, черная, синяя, красная, белая, прозрачная
Отслаивающаяся (peelable) маска ДА
Мин. ширина вскрытия маски 0,05 мм
Мин. ширина линии маски 0,1 мм
Мин. зазор между краем маски и краем площадки 0,038 мм
Параметры маркировки (шелкографии)
Возможные цвета Зеленая, белая, красная, синяя, коричневая, пурпурная, желтая, черная
Мин. ширина линии маркировки 0,1 мм
Параметры покрытия контактных площадок Толщина
ПОС61 (HASL) 5 мкм минимум
Никель 2,5 мкм минимум
Иммерсионное золото (ENIG) 0,025 - 0,05 мкм
Электролизное золото (flash gold) 0.025 - 0.075 мкм
Entek (OSP) 0,25 - 0,5 мкм
Графит 10 - 25 мкм
Золочение краевого разъема 1,27 мкм максимум
Иммерсионное олово 1 мкм
Изготовление по бессвинцовой технологии
Финишные покрытия
  • Pb- Free HASL
    • 93,3 Sn - 0,7 Cu
    • 96,5 Sn - 3,5 Ag
    • 96,2 Sn - 3,2 Ag - 0,5 Cu
  • Cu + органическое защитное покрытие (OSP)
  • Электролитический Ni / иммерсионное Au (ENIG)
  • Иммерсионное Ag
  • Иммерсионное Sn
Требования к базовым материалам
  • Температура стеклования 150°С и выше
  • Бромированные эпоксидные смолы заменены на фосфорсодержащие компоненты
Параметры электроконтроля
  • Летающие пробники
  • Поле контактов
Дополнительные тесты Волновое сопротивление
Дифференциальное сопротивление
Тест паяемости
Термоудар

Параметры допусков

Допуск размеров проводников, площадок, полигонов 20% (+/-)
Допуск положения отверстия 0,05 мм (+/-)
Допуск несовмещения маски 0,076 мм (+/-)
Допуск несовмещения шелкографии 0,08 мм (+/-)
Допуск диаметра отверстия металлизированное 0,075 мм (+/-)
неметаллизированное 0,05 мм (+/-)
Допуск размеров платы Фрезеровка 0,12 мм (+/-)
Скрайбирование 0.1 мм (+/-)
Штамп 0,15 мм (+/-)
Специальные возможности
  • Высокотемпературные материалы
  • Высокочастотные материалы (Rogers, Taconic и др.)
  • Гибкие платы
    Жестко-гибкие платы
  • Платы с несквозными переходными отверстиями (в т.ч. laser drilled microvia)
Формат файлов Все распространенные CAD/CAM системы - PCAD 4.5, PCAD 8 (с таблицей соответствия конструкторских и технологических примитивов); ACCEL EDA, PCAD 200X, PROTEL, ORCAD, EAGLE, DEP7, CAM350, CAMTASTIC. Форматы GERBER (274D, с прилагаемой таблицей аппертур, 274X + карта сверления в формате Exellon), ODB++ и др.

*Данные характеристики являются совокупными для общего спектра наших возможностей по поставкам печатных плат. Они могут меняться в зависимости от некоторых факторов (сложности платы, серийности, сроков поставки и пр.), поэтому в каждом конкретном случае советуем уточнять особо важные параметры у менеджера.

Задать вопрос Новости

Самым дорогим и трудоемким этапом в процессе производства печатных плат является сверловка отверстий. Этой процедуре необходимо уделять особое…

Учёные из МТИ (Массачусетского технологического института) разработали технологию создания транзисторов с применением сегнетоэлектрического материала.…

В рамках программы импортозамещения электронной компонентой базы российские учёные приступили к разработке отечественных микроэлектромеханических…

Российские учёные разрабатывают органические полупроводниковые материалы. Ключевой задачей проекта является создание микрочипов на основе углеродных…

Российская отрасль самолётостроения активно развивается, несмотря на экономические сложности, с которыми ей пришлось столкнуться в последние несколько…

По данным Ассоциации полупроводниковой промышленности (SIA), мировой рынок полупроводников в первом квартале 2024 г. вырос на 15% по сравнению с 2023…

Группа исследователей из СПбГУ «ЛЭТИ» и СПбГУ сообщили о разработке, благодаря которой алмаз может стать новым полупроводниковым материалом для…