Параметры механической обработки* | ||
Максимальное количество слоев | до 40 | |
Максимальный размер платы | ДПП | 533,4 * 730 мм |
МПП | 533,4 * 730 мм | |
Минимальная толщина платы | ДПП | 0,2 мм |
4-х слойные | 0,4 мм | |
6-ти слойные | 0,6 мм | |
Максимальная толщина платы | ДПП | 4.8мм |
4-х слойные | 4.8мм | |
6-ти слойные | 4.8мм | |
Мин. диаметр металлизированного отверстия | 100 мкм | |
Мин. диаметр неметаллизированного отверстия | 200 мкм | |
Отношение мин. диаметра отверстия к толщине платы | 1:16 | |
Мин. ширина внутреннего выреза (фрезеровка) | 0.45мм | |
Толщина медной фольги | 9, 12, 18, 35, 50, 70, 100, 150, 200 мкм | |
Параметры проводников площадок и зазоров | ||
Минимальный проводник | внутренние слои | 0,05 мм |
внешние слои | 0,05 мм | |
Минимальный зазор | внутренние слои | 0,05 мм |
внешние слои | 0,05 мм | |
Минимальный зазор между проводником и краем платы | внутренние слои | 0,2 мм |
внешние слои | 0,2 мм | |
Минимальный зазор между отверстием и краем платы | 0,38 мм | |
Минимальный зазор между отверстием и проводником | 0,25 мм | |
Мин. площадка металлизированного отверстия | 0,45 мм (0,3 мм - microvia) | |
Параметры маскирующего покрытия | ||
Возможные цвета | Зеленая, желтая, черная, синяя, красная, белая, прозрачная | |
Отслаивающаяся (peelable) маска | ДА | |
Мин. ширина вскрытия маски | 0,05 мм | |
Мин. ширина линии маски | 0,1 мм | |
Мин. зазор между краем маски и краем площадки | 0,038 мм | |
Параметры маркировки (шелкографии) | ||
Возможные цвета | Зеленая, белая, красная, синяя, коричневая, пурпурная, желтая, черная | |
Мин. ширина линии маркировки | 0,1 мм | |
Параметры покрытия контактных площадок | Толщина | |
ПОС61 (HASL) | 5 мкм минимум | |
Никель | 2,5 мкм минимум | |
Иммерсионное золото (ENIG) | 0,025 - 0,05 мкм | |
Электролизное золото (flash gold) | 0.025 - 0.075 мкм | |
Entek (OSP) | 0,25 - 0,5 мкм | |
Графит | 10 - 25 мкм | |
Золочение краевого разъема | 1,27 мкм максимум | |
Иммерсионное олово | 1 мкм | |
Изготовление по бессвинцовой технологии | ||
Финишные покрытия |
| |
Требования к базовым материалам |
| |
Параметры электроконтроля |
| |
Дополнительные тесты | Волновое сопротивление Дифференциальное сопротивление Тест паяемости Термоудар | |
Параметры допусков | ||
Допуск размеров проводников, площадок, полигонов | 20% (+/-) | |
Допуск положения отверстия | 0,05 мм (+/-) | |
Допуск несовмещения маски | 0,076 мм (+/-) | |
Допуск несовмещения шелкографии | 0,08 мм (+/-) | |
Допуск диаметра отверстия | металлизированное | 0,075 мм (+/-) |
неметаллизированное | 0,05 мм (+/-) | |
Допуск размеров платы | Фрезеровка | 0,12 мм (+/-) |
Скрайбирование | 0.1 мм (+/-) | |
Штамп | 0,15 мм (+/-) | |
Специальные возможности |
| |
Формат файлов | Все распространенные CAD/CAM системы - PCAD 4.5, PCAD 8 (с таблицей соответствия конструкторских и технологических примитивов); ACCEL EDA, PCAD 200X, PROTEL, ORCAD, EAGLE, DEP7, CAM350, CAMTASTIC. Форматы GERBER (274D, с прилагаемой таблицей аппертур, 274X + карта сверления в формате Exellon), ODB++ и др. |
*Данные характеристики являются совокупными для общего спектра наших возможностей по поставкам печатных плат. Они могут меняться в зависимости от некоторых факторов (сложности платы, серийности, сроков поставки и пр.), поэтому в каждом конкретном случае советуем уточнять особо важные параметры у менеджера.
Самым дорогим и трудоемким этапом в процессе производства печатных плат является сверловка отверстий. Этой процедуре необходимо уделять особое…
Учёные из МТИ (Массачусетского технологического института) разработали технологию создания транзисторов с применением сегнетоэлектрического материала.…
В рамках программы импортозамещения электронной компонентой базы российские учёные приступили к разработке отечественных микроэлектромеханических…
Российские учёные разрабатывают органические полупроводниковые материалы. Ключевой задачей проекта является создание микрочипов на основе углеродных…
Российская отрасль самолётостроения активно развивается, несмотря на экономические сложности, с которыми ей пришлось столкнуться в последние несколько…
По данным Ассоциации полупроводниковой промышленности (SIA), мировой рынок полупроводников в первом квартале 2024 г. вырос на 15% по сравнению с 2023…
Группа исследователей из СПбГУ «ЛЭТИ» и СПбГУ сообщили о разработке, благодаря которой алмаз может стать новым полупроводниковым материалом для…