Примеры HDI печатных плат:
Конструкции:
Тип материала | Диэлектрическая постоянная | Толщина, мкм | |
RCCu | Mitsui RCC MRG200-50T12 | 3,1 @ 2GHz | 45 ± 10 |
RCCu | Mitsui RCC MRG200-60T12 | 3,1 @ 2GHz | 55 ± 10 |
RCCu | Mitsui RCCu MRG200-75T12 | 3,1 @ 2GHz | 70 ± 10 |
FR4 Prepreg | Mid Tg prepreg 1080 60%RC | 3,8 @2GHz | 60 ± 10 |
FR4 Prepreg | Mid Tg prepreg 1080 66%RC | 3,6 @2GHz | 70 ± 15 |
HF FR4 Prepreg | R 1551W prepreg 1037 68%RC | 4,2 @2GHz | 40 ± 8 |
HF FR4 Prepreg | R 1551W prepreg 106 74%RC | 4,1 @2GHz | 50 ± 10 |
HF FR4 Prepreg | R 1551W prepreg 1080 63%RC | 4,3 @ 2GHz | 65 ± 10 |
Максимальная толщина ПП | 2,0 мм | |
Мин.ширина проводника | Толщина меди <25 мкм (внутренние слои) Толщина меди 25мкм – 50мкм | 75 мкм 90 мкм |
Мин. расстояние | Толщина меди <25 мкм (внутренние слои) Толщина меди 25мкм – 50мкм | 75 мкм 90 мкм |
Мин. диаметр отверстия | При максимальной толщине платы | 300 мкм |
Мин.размер контактной | Переходное, внешний слой (0,3мм отверстие) Переходное, внутренний слой (0,3мм отверстие) Погребенное (0,3мм отверстие) Лазерный микропереход, внешняя площадка Лазерный микропереход, внутренняя площадка | 600 мкм 600 мкм 600 мкм 250 мкм 250 мкм |
Мин. расстояние между | Микропереход/погребенное (не соединенные, 0,3мм отверстие) Микропереход/погребенное (соединенные, 0,3мм отверстие) Микропереход/микропереход (не соединенные, маска между КП) Микропереход/микропереход (соединенные) От сквозного металлизированного отверстия до меди | 550 мкм 450 мкм 400 мкм 300 мкм 275 мкм |
Допуск нанесения паяльной маски | ± 50 мкм |
Обратите внимание, данные характеристики являются стандартными возможностями производства печатных плат. В конкретных случаях, некоторые параметры могут быть уменьшены (см. расширенные возможности).
Максимальная толщина ПП | 4,5мм | |
Мин.ширина проводника | Толщина меди <25 мкм (внутренние слои) Толщина меди 25μ - 50μ | 60 мкм 75 мкм |
Мин. расстояние | Толщина меди <25 мкм (внутренние слои) Толщина меди 25μ - 50μ | 60 мкм 75 мкм |
Мин. диаметр отверстия | При толщине платы 2,4 мм | 200 мкм |
Мин.размер контактной | Переходное, внешний слой (0,3мм отверстие) Переходное, внутренний слой (0,3мм отверстие) Погребенное (0,3мм отверстие) Лазерный микропереход, внешняя площадка Лазерный микропереход, внутренняя площадка | 500 мкм 500 мкм 500 мкм 250 мкм 220 мкм |
Мин. расстояние между | Микропереход/погребенное (не соединенные, 0,3мм отверстие) Микропереход/погребенное (соединенные, 0,3мм отверстие) Микропереход/микропереход (не соединенные, маска между КП) Микропереход/микропереход (соединенные) От сквозного металлизированного отверстия до меди | 475 мкм 400 мкм 375 мкм 250 мкм 250 мкм |
Допуск нанесения паяльной маски | ± 37 мкм |
Обратите внимание: расширенные параметры должны применяться весьма осторожно, только при реальной необходимости, т.к. их применение может оказать значительное влияние на выход годных изделий. Лучший вариант — применять их локально на участках повышенной плотности.
Исследователи разработали мемристор на основе синтетической ДНК и кристаллического перовскита. Устройство сочетает высокую плотность хранения данных,…
Российские исследователи разработали интеллектуальный модуль «нейропамяти» для беспилотных летательных аппаратов. Система предназначена для…
Перекрёстные помехи (Crosstalk) возникают, когда высокоскоростные сигналы одного канала из-за краевых электрических и магнитных полей создают…
Излучатель с поперечным размером около 60 нанометров и беспрецедентно узкой полосой генерации — примерно 0,15 нанометра — удалось получить…
Исследовательская группа из Лаборатории биоэлектроники и микросистем Бингемтонского университета разработала технологию производства электронных схем…
Исследователи из Индии разработали молекулярный мемристор. Как сообщается, устройство характеризуется 14-битным аналоговым разрешением и…
С 8 по 10 июля компания приняла участие в Международной выставке ДРОНЭКСПО-2026 в Казани.