Электронные компоненты — статьи по теме

Как обсуждалось выше, одним из аспектов ВЧ характеристик конденсатора является паразитная индуктивность. Паразитная индуктивность создает положительный наклон графика после резонанса и уводит реальные характеристики конденсатора далеко от рассчитанных с помощью Формулы 1 идеальных значений. Ниже…

В данной статье рассматривается улучшение ВЧ характеристик, но с меньшим количеством конденсаторов, которые в своей идеальной форме блокируют постоянный ток и пропускают переменный. Благодаря этому конденсаторы становятся фундаментальным строительным блоком в радиочастотных (ВЧ) и микроволновых…

Целевые приложения SiC MOSFET на напряжение 650 В компании Infineon Technologies включают системы электропитания с необходимым КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, оптимизированные под корректное функционирование в условиях жестких переключений, и мощные силовые установки.

II. QFN MMIC УСИЛИТЕЛЬ KU-ДИАПАЗОНА С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ

A. Высокомощный усилитель MMIC

Компактный MMIC усилитель с высокой мощностью (Рис.2) был произведен по технологии PHEMT с двойным пазом/двусторонним легированием Celeritek с остановкой травления, с использованием оптической установки…

РЕЗЮМЕ — в данной статье представлена разработка и характеристики компактного усилителя мощности MMIC мощностью 1 Вт Ku-диапазона, выполненного в стандартном литом QFN корпусе 4х4 мм с 24 выводами. Этот метод корпусирования в сочетании с очень малой площадью кристалла дает в результате очень…

Элементы памяти, широко применяемые сегодня, вскоре уступят место более перспективным запоминающим устройствам, действие которых основано на принципе переключения сопротивления. Учёные из группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с исследователями из Кореи выяснили, какое воздействие оказывает…

Компания EPC выпустила на рынок новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059. По словам разработчиков, эта модель на сегодняшний день является лучшей по техническим характеристикам среди аналогичных устройств. По сравнению с другими приборами данного класса EPC2059 обладает сопротивлением…

3. РАБОТА СХЕМЫ

Как показано на Рис.3, чтобы соответствовать требованиям по высокому току (до 20А) и для упрощения схемы управления переключением DC питания стока был выбран Р-канальный полевой транзистор 100 В MOSFET SQM120P10.

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных керамических конденсаторов».

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных керамических конденсаторов».