Электронные компоненты — статьи по теме

Кремниевые транзисторы vs карбид-кремниевые транзисторы

Целевые приложения SiC MOSFET на напряжение 650 В компании Infineon Technologies включают системы электропитания с необходимым КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, оптимизированные под корректное функционирование в условиях жестких переключений, и мощные силовые установки.

Далее

Недорогой усилитель мощности MMIC мощностью 1 ватт Ku-диапазона в пластиковом корпусе QFN 4х4 мм. Часть 2

II. QFN MMIC УСИЛИТЕЛЬ KU-ДИАПАЗОНА С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ

A. Высокомощный усилитель MMIC

Компактный MMIC усилитель с высокой мощностью (Рис.2) был произведен по технологии PHEMT с двойным пазом/двусторонним легированием Celeritek с остановкой травления, с использованием оптической установки…

Далее

Недорогой усилитель мощности MMIC мощностью 1 ватт Ku-диапазона в пластиковом корпусе QFN 4х4 мм. Часть 1

РЕЗЮМЕ — в данной статье представлена разработка и характеристики компактного усилителя мощности MMIC мощностью 1 Вт Ku-диапазона, выполненного в стандартном литом QFN корпусе 4х4 мм с 24 выводами. Этот метод корпусирования в сочетании с очень малой площадью кристалла дает в результате очень…

Далее

Преимущества неидеальных электродов

Элементы памяти, широко применяемые сегодня, вскоре уступят место более перспективным запоминающим устройствам, действие которых основано на принципе переключения сопротивления. Учёные из группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с исследователями из Кореи выяснили, какое воздействие оказывает…

Далее

Efficient Power Conversion (EPC) анонсировала выпуск нового транзистора.

Компания EPC выпустила на рынок новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059. По словам разработчиков, эта модель на сегодняшний день является лучшей по техническим характеристикам среди аналогичных устройств. По сравнению с другими приборами данного класса EPC2059 обладает сопротивлением…

Далее

Импульсный генератор GaN HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов). Часть 2

3. РАБОТА СХЕМЫ

Как показано на Рис.3, чтобы соответствовать требованиям по высокому току (до 20А) и для упрощения схемы управления переключением DC питания стока был выбран Р-канальный полевой транзистор 100 В MOSFET SQM120P10.

Далее

Гибкость многослойных керамических конденсаторов. Часть 3

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных керамических конденсаторов».

Далее

Гибкость многослойных керамических конденсаторов. Часть 2

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных керамических конденсаторов».

Далее

Гибкость многослойных керамических конденсаторов. Часть 1

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных керамических конденсаторов».

Далее

Электронный аналог мощного переменного резистора

Для тестирования блоков питания или аккумуляторов, как правило, необходима нагрузка от источника постоянного тока. Но время от времени появляется необходимость выяснить, как поведёт себя устройство при резистивной нагрузке. В этой ситуации применение потенциометра большой мощности является слишком…

Далее
Задать вопрос