Элементы памяти, широко применяемые сегодня, вскоре уступят место более перспективным запоминающим устройствам, действие которых основано на принципе переключения сопротивления. Учёные из группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с исследователями из Кореи выяснили, какое воздействие оказывает…