Монтаж компонентов типоразмера 030015 и другие возможности производственной базы А-КОНТРАКТ с новыми установщиками ASM Siplace SX2

На производственной площадке А-КОНТРАКТ завершилась инсталляция и наладка новых автоматов ASM Siplace SX2 с программным обеспечением ASM Works,...

Далее

А-КОНТРАКТ: мы внедряем Индустрию 4.0 в контрактное производство электроники

|   Статьи А-КОНТРАКТ

В журнале "Компоненты и Технологии" №8, 2021 было опубликовано интервью с руководителями А-КОНТРАКТ, Максимом Поляничко и Сергеем Фёдоровым. Статья...

Далее

Импульсный генератор GaN HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов). Часть 2

|   Новости и обзоры отрасли

3. РАБОТА СХЕМЫ

Как показано на Рис.3, чтобы соответствовать требованиям по высокому току (до 20А) и для упрощения схемы управления переключением DC питания стока был выбран Р-канальный полевой транзистор 100 В MOSFET SQM120P10.

 

Этот Р-канальный MOSFET имеет очень низкое сопротивление при включении и следующие параметры:

• Vds (В)= -100 В

• Rds(on) (Ω)= 0.0101 @ Vgs = -10 В

• Rds(on) (Ω) = 0.0150 @ Vgs = -4.5 В

• Ток стока (Id) = -120 A

 

 

Принципиальная схема

Рис. 3. Принципиальная схема

Входы/выходы схемы:

• DC_IN: подключен к источнику постоянного тока

• PA_DRAIN: подключен к стоку ВЧ транзистора

• J1: подключен к импульсному управляющему сигналу

• J2: установка Idq транзистора (замыкание J2 для образования перемычки Q2 для установки желаемого Idq).

Во время работы R2 и R5 создают делитель напряжения, чтобы обеспечить оперативное напряжение на затворе Q2. Когда напряжение на выводе 1 J1 больше 2В, N-канальный FET Q4 включен (сток и исток подключены), Q2 напряжение затвора к истоку Vgs меняется от 0 до -8В (DC_IN=50 В), Q2 включен (сток и исток подключены), и напряжение выхода составляет:

PA_DRAIN=DC_IN – Rds(ON) * Id

В тестируемом устройстве в Wolfspeed ток стока Id был 18А, а Rds≈0.010 Ом, откуда получаем:

PA_DRAIN=50-18*0.01=49.82 В≈DC_IN.

Когда импульсный входной сигнал на выводе 1 J1 слабый (менее 0,7В), Q4 выключен и Q2 Vgs=0, Q2 выключен, выходное напряжение на PA_DRAIN равно 0 В.

Выбор значений R2 и R5 основывается на токе через делитель и оперативном напряжении на затворе MOSFET. Ток может быть от 5 мА до 15 мА и при условии включения, напряжение на затворе MOSFET Vgs должно соответствовать спецификации MOSFET.

В устройствах с большим током установите Q2 напряжение затвора Vgs на определенное значение, чтобы уменьшить Q2 сопротивление включения Rds, например -10В, за счет изменения значений резистора делителя напряжения. Но обратная сторона этого – это может задержать время выключения. При нормальных условиях предпочтительнее установить Q2 Vgs до -4,5В, так как Rds = 0.015 Ω и время выключения будет меньше.

Диод Зенера используется для защиты MOSFET, чтобы Q2 Vgs не превышал 14В.

ВЧ импульсный вход

Рис.4. Зеленый: ВЧ импульсный вход. Желтый: DC напряжение выхода. Синий: ВЧ выход.

 

Установка Vgs=-8 В при включении позволяет использовать широкий диапазон постоянного тока от 28В до 50В. В этом диапазоне постоянного тока Vgs колеблется от -4,5 до -8В.

На Рис.4 показан график задержки включения при постоянном токе 50В и пиковом токе 18А. Тестовый сигнал 1 мс, 10% импульс. Результирующее время включения 1.88 мкс, когда DC напряжение выхода достигает 90% от DC входа (45В).

Источник: rfglobalnet.com

Назад