Измерять температуру электроники теперь можно при помощи потока нейтронов

Учёные из Японии создали технологию, при помощи которой можно быстро и с высокой точностью измерять температуру микрочипов и другой микроэлектроники, для работоспособности которой критична степень нагрева в процессе эксплуатации. Это даст возможность улучшить характеристики электронных устройств и повысить их безопасность для пользователей.

Как отмечают учёные, особенностью метода является то, что он не является деструктивным, а значит может быть использован для оценки уровня температур внутри литиевых аккумуляторов, других видов батарей и в разных полупроводниковых устройствах.

В основе технологии лежит использование потока нейтронов низких энергий. Для выполнения измерений применяется система, состоящая из ряда детекторов нейтронов и лазерной установки, которая создаёт поток из нейтронов низких энергий. Свойства частиц выбраны так, чтобы нейтроны активно поглощались ядрами атомов тех устройств, температуру внутри которых необходимо проанализировать. При этом частота взаимодействий взаимосвязана с температурой материала.

Учёные провели серию экспериментов, в ходе которых были успешно измерены температуры внутри тонких серебряных и танталовых плёнок. Опыты были проделаны в температурном диапазоне от +26 до +726 гр. Цельсия. Результаты этих экспериментов наглядно продемонстрировали, что разработанная технология позволяет в течение всего 100 наносекунд отследить даже минимальные температурные сдвиги. А значит при помощи такого метода температура внутри электронных устройств может измеряться в режиме реального времени.

Разработка японских учёных сможет найти своё применение у производителей микросхем и других электронных устройств: с её помощью инженеры смогут отслеживать очаги перегрева в тестируемых образцах новых устройств и оптимизировать продукты таким образом, чтобы их нагрев соответствовал эксплуатационным требованиям.

По материалам nauka.tass.ru

Задать вопрос