Новая концепция для создания электроники будущего

Суть предложенной концепции заключается в управлении интерфейсом оксид/полупроводник на субмонослойном уровне, что даёт возможность синтезировать структуры с уникальными свойствами, необходимыми для устройств электроники.

По словам учёных, электроника на кремниевых платформах уже не справляется с актуальными технологическими задачами. Растёт потребность рынка в новых видах электронных устройств, обладающих миниатюрными размерами и низким энергопотреблением. В этой связи чрезвычайно важными являются разработки в области создания новых материалов, способных удовлетворить современным требованиям к электронным устройствам. Сложность заключается в том, что новые материалы должны одновременно поддерживать существующую полупроводниковую технологическую платформу и в то же время иметь новые уникальные свойства. Именно таким решением и является интеграция кремния и германия с функциональными оксидами.

До недавнего времени задача синтеза монокристаллических пленок функциональных оксидов на поверхности кремния или германия считалась невыполнимой. Однако исследовали из Курчатовского института разработали такой способ синтеза, который предполагает  управление химическими связями на интерфейсе оксида и полупроводника. При таком подходе поликристаллические пленки переводятся в монокристаллы независимо от полупроводниковой платформы, металлической суперструктуры и типа функционального оксида. Главное – найти оптимальную степень окисления интерфейса.

Ученые уверены, что эта инновационная технология имеет большие перспективы в свете создания устройств электроники нового типа.

По материалам nrcki.ru