Информация по применению серии AN-007 сравнительный обзор полупроводниковых приборов, выполненных на основе GaN, Si и GaAs для ВЧ- и СВЧ-устройств.

|   Статьи А-КОНТРАКТ

Часть 2.

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «СВЧ-электроника» №2' 2021 опубликована новая статья.

 

Далее

Информация по применению серии AN-007 сравнительный обзор полупроводниковых приборов, выполненных на основе GaN, Si и GaAs для ВЧ- и СВЧ-устройств.

|   Статьи А-КОНТРАКТ

Часть 1.

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «СВЧ-электроника» №2' 2021 опубликована новая статья.

Далее

Отечественные специалисты разработали новый принцип квантового переключения для электроники

|   Новости и обзоры отрасли

Разработка может быть использована при производстве элементной базы для наноэлектронике.

Российский учёный-физик в сотрудничестве со специалистами из-за границы проанализировал квантовые контакты между проводниками во внешнем осциллирующем поле и выяснил, что для некоторых видов контактов с ростом частоты осцилляций ток становится равен нулю. Учёный предположил, что данное открытие может стать полезным при производстве элементной базы для наноэлектроники. Материалы об этом исследовании опубликовал журнал Physical Review B.

 

Ключевым направлением развития микроэлектроники является стремление к уменьшению габаритов устройств и к расширению выполняемых функций. Это, в свою очередь, стимулирует производителей наноэлементов разрабатывать всё новые компоненты, которые будут сочетать в себе наилучшие характеристики с наименьшими размерами. Основой таких наноэлементов служат квантовые эффекты корпускулярного-волнового дуализма электронов, благодаря чему происходят явления переноса заряда, чувствительные к воздействиям извне, особенно к электрическим и магнитным полям.

Наиболее перспективны в этом отношении квантовые точечные контакты: ширина такого контакта вмещает лишь несколько длин волн электронов, что сравнимо с размером атома. При проведении экспериментов в этой области такие контакты получали путём совмещения двух массивных электродов слоем двумерного электронного газа, а после этого подводили пластины затвора, на который затем подавался потенциал. При увеличении поданного напряжения растёт и запрещенная для движения электронов зона, а значит появляется контакт.

Учёные, проводившие описываемое исследование, поставили теоретический эксперимент, в котором взяли два проводника, соединённые квантовым контактом с приложенными внешними осциллирующими полями. Исследователи предположили, что исходные концентрации носителей заряда в проводниках различаются. Если взять маленькую частоту осцилляций через контакт проходит ток, который выравнивает концентрации. Но оказалось, что для определенного типа контактов при частотах выше критических ток обнуляется, и концентрации никогда не выравниваются. Это явление неравновесного фазового перехода заключается в том, что свойства системы качественно различны по разные стороны от критического значения внешнего параметра (в данном случае — частоты осцилляций).

Данное исследование в будущем может стать основой для разработки новых электронных наноэлементов, имеющих миниатюрный размер, так востребованный в микроэлектронике.

В целом, следует отметить, что электронные устройства, работающие на основе квантовых эффектов, на сегодняшний день становятся наиболее перспективными для дальнейших разработок. Эксперты предполагают, что объем российского рынка наноэлектроники и фотоники к 2027 году вырастет до 20 млрд рублей.

Источник: russianelectronics.ru

Назад