Компании активно инвестируют в производство пластин из карбида кремния. Так, весной прошлого года в США был запущен завод по изготовлению пластин из карбида кремния, который является крупнейшим в мире предприятием в этой отрасли. Предполагается, что завод, выпускающий улучшенные пластины, станет производственной и R&D базой для дальнейшего совершенствования технологий на основе SiC. Это позволит ускорить темпы развития полупроводников следующего поколения, что в свою очередь стимулирует энергетический переход и разработки в области искусственного интеллекта.
Мировые лидеры в сфере производства полупроводников (STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Bosch, Fuji Electric и Mitsubishi Electric и др) также увеличивают производственные мощности, вкладывая средства в строительство фабрик для изготовления пластин карбида кремния. Особое внимание уделяется производству 8-дюймовых пластин, спрос на которые постоянно растёт.
Так компания STMicroelectronics сообщила о строительстве полностью интегрированного завода по производству карбида кремния: новый завод будет встроен в существующую производственную цепочку STMicroelectronics, охватывая такие сферы как изготовление силовых устройств, модулей, тестирование и упаковку.
Infineon также строит предприятие, специализацией которого станет изготовление силовых полупроводниковых изделий из карбида кремния диаметром 200 мм.
Китайские производители не отстают от своих американских и европейских конкурентов, также активно развивая промышленность по производству карбида кремния, особенно 8- дюймовых пластин.
Следует отметить, что рост мирового рынка полупроводников положительно сказывается на развитии отрасли микроэлектроники, удовлетворяя растущий спрос в пластинах карбида кремния у производителей электронных устройств.
По материалам russianelectronics.ru