Гибкость многослойных керамических конденсаторов. Часть 2

автор Перевод: Сергей Шихов | |   Статьи А-КОНТРАКТ

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных...

Далее

Гибкость многослойных керамических конденсаторов. Часть 1

|   Статьи А-КОНТРАКТ

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных...

Далее

Разработана технология производства контактов, которая открывает новые возможности для «разгона» 7-нм микросхем

|   Новости и обзоры отрасли

В процессе постоянной гонки за уменьшение габаритов электронных устройств, миниатюризации подвергаются не только размеры компонентов, но также и все остальные составляющие изделий электроники, в том числе и диаметры отверстий для создания вертикальных контактов. Однако при уменьшении технологических норм эти контакты, произведённые из вольфрама в процессе металлизации, демонстрируют меньшую производительность и энергоэффективность, нежели контакты больших размеров. Данный нюанс мог бы стать камнем преткновения для дальнейшей миниатюризации устройств, но учёным удалось обойти эту особенность.

технология производства контактов

Исследователи компании Applied Materials сумели раскрыть дополнительный резерв. Для этого специалисты проанализировали технологический процесс нанесения вольфрама на стенки отверстий. Техпроцесс заключается в том, что вольфрам осаждается из паровой среды на предварительно подготовленные отверстия металлизации. Перед этим поверхность микрочипа и стенки отверстий в слое диэлектрика покрываются нитридом титана для повышения эффективности нанесения вольфрама, выравнивания стенок отверстий  и предотвращения загрязнения кристалла фтором, применяющимся при осаждении вольфрама.

Учёные из Applied Materials разработали новый процесс металлизации, который, используя специально созданную для этого установку, вводит вольфрам в отверстия в диэлектрике не сверху как при обычном заполнении, а снизу. Applied Materials дала разработке название «выборочное заполнение зазоров». Применение других материалов и нетрадиционный техпроцесс позволили отказаться от этапа покрытия стенок отверстий слоем нитрида титана: это стало ненужным, т.к. новый техпроцесс не предполагает ни использование фтора, ни необходимость повышать эффективность осаждения вольфрама.

По мнению экспертов из Applied Materials, их технология даст возможность на 40% уменьшить сопротивление вертикальных соединений. Это  является весьма существенным показателем, если учесть, что в 300-мм кремниевой пластине с чипами проложено до 100 километров таких соединений.

Установки для выборочного заполнения зазоров от Applied Materials были выведены на рынок в июле 2020. По словам сотрудников Applied Materials, их оборудование уже успешно применяется в некоторых крупных производственных компаниях.

Источник: russianelectronics.ru

Назад