Разработана технология производства контактов, которая открывает новые возможности для «разгона» 7-нм микросхем

Исследователи компании Applied Materials сумели раскрыть дополнительный резерв. Для этого специалисты проанализировали технологический процесс нанесения вольфрама на стенки отверстий. Техпроцесс заключается в том, что вольфрам осаждается из паровой среды на предварительно подготовленные отверстия металлизации. Перед этим поверхность микрочипа и стенки отверстий в слое диэлектрика покрываются нитридом титана для повышения эффективности нанесения вольфрама, выравнивания стенок отверстий  и предотвращения загрязнения кристалла фтором, применяющимся при осаждении вольфрама.

Учёные из Applied Materials разработали новый процесс металлизации, который, используя специально созданную для этого установку, вводит вольфрам в отверстия в диэлектрике не сверху как при обычном заполнении, а снизу. Applied Materials дала разработке название «выборочное заполнение зазоров». Применение других материалов и нетрадиционный техпроцесс позволили отказаться от этапа покрытия стенок отверстий слоем нитрида титана: это стало ненужным, т.к. новый техпроцесс не предполагает ни использование фтора, ни необходимость повышать эффективность осаждения вольфрама.

По мнению экспертов из Applied Materials, их технология даст возможность на 40% уменьшить сопротивление вертикальных соединений. Это  является весьма существенным показателем, если учесть, что в 300-мм кремниевой пластине с чипами проложено до 100 километров таких соединений.

Установки для выборочного заполнения зазоров от Applied Materials были выведены на рынок в июле 2020. По словам сотрудников Applied Materials, их оборудование уже успешно применяется в некоторых крупных производственных компаниях.

Источник: russianelectronics.ru