Информация по применению серии AN-007 сравнительный обзор полупроводниковых приборов, выполненных на основе GaN, Si и GaAs для ВЧ- и СВЧ-устройств.

|   Статьи А-КОНТРАКТ

Часть 2.

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «СВЧ-электроника» №2' 2021 опубликована новая статья.

 

Далее

Информация по применению серии AN-007 сравнительный обзор полупроводниковых приборов, выполненных на основе GaN, Si и GaAs для ВЧ- и СВЧ-устройств.

|   Статьи А-КОНТРАКТ

Часть 1.

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «СВЧ-электроника» №2' 2021 опубликована новая статья.

Далее

Выпуск микроэлектроники: российские учёные предложили выгодный способ производства

|   Новости и обзоры отрасли

Российские учёные предложили отечественным производителям электроники с большей выгодой изготавливать продукцию.

Учёные из Уральского федерального университета (УрФУ) при содействии своих коллег из Японии и Испании создали такую технологию изготовления изделий микроэлектроники, которая даст возможность значительно уменьшить стоимость производства.

Разработанная уникальная технология предполагает применение такого материала как фосфат натрия-железа. Исследователи изучали выгодные магнитные свойства данного материала и в ходе исследования пришли к выводу, что эти свойства  могут быть применимы при изготовлении изделий электроники, а именно – помогут существенно снизить себестоимость такой продукции.

Основным плюсом разработанной технологии является её многофункциональность. Это значит, что один и тот же материал может применяться при изготовлении различных блоков устройства. Так, в мобильных устройствах фосфат натрия-железа можно задействовать как в аккумуляторах, так и в носителях информации и электронной памяти. На сегодняшний день фосфат натрия-железа уже применяется в зарядных устройствах и некоторых микроэлектронных изделиях.

Разработчики технологии надеются, что предложенный метод найдёт своё применение в широкой промышленности и позволит нашей стране занять  более выгодную нишу на мировом рынке микроэлектроники.

Источник: politexpert.net

Назад