Разработаны масштабируемые 3D-транзисторы на основе 2D-полупроводников
По словам разработчиков, создание многозатворной архитектуры для получения реалистичных полевых транзисторов с суб-10-нанометровыми каналами и, более того, с атомарно-тонкими каналами на основе двумерных полупроводников является очень важной для развития микроэлектроники задачей.
Американским учёным удалось показать, что атомно-тонкие двумерные слоистые материалы имеют широкие возможности в свете их применения для 3D-полевых транзисторов нового поколения с различными архитектурами. Исследования в этой области открывают большие перспективы.
На основе 2D-материалов учёным удалось разработать принципиально новую архитектуру транзистора, названную нанопластинчатым полевым транзистором (NPFET). Такой транзистор обладает высокой производительностью и плотностью интеграции. Преимуществом метода проектирования масштабируемых 3D-транзисторов, который предлагают исследователи, является применение квантово-транспортного формализма для моделирования переноса носителей заряда.
Выполненное учёными моделирование показывает несомненные преимущества свойств 3D-полевых транзисторов на основе 2D-полупроводников перед полевыми транзисторами на основе кремния.
В планах учёных продолжение работ над 3D-транзисторами с целью создания компонентов с различными свойствами и характеристиками, что позволит в перспективе внедрить разработку в массовое производство изделий электроники.
По материалам: russianelectronics.ru