Новости и статьи о производстве и монтаже печатных плат

Разработчики импульсных источников питания часто сталкиваются с необходимостью решать, как поступить с аналоговой землей (AGND) и силовой землей (PGND) при проектировании микросхемы импульсного регулятора. Технические специалисты, как правило, имеют дело с цифровой и аналоговой землей, поэтому при…

Получите БЕСПЛАТНЫЙ пригласительный билет на выставку «ЭкспоЭлектроника 2019» - крупнейшую российскую выставку электронных компонентов, модулей и комплектующих!

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и…

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях. Детектор используется для того, чтобы почувствовать, когда подается радиочастотный сигнал на транзистор. Серийный MOSFET с устройством GaN сначала…

Мощные карбид кремниевые (SiC) полупроводниковые устройства в системах силовой электроники теперь стали еще надёжнее, об этом недавно сообщили специалисты корпорации Mitsubishi Electric и Токийского университета.

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Показано, что смещение класса A/B приводит к общей эффективности, которая как правило на 5-10% меньше чем…

Исследователи научно-исследовательского центра imec и специалисты компания Cadence Design Systems рассказали о том, что в ходе длительной совместной работы двух организаций была создана первая в отрасли тестовая микросхема, рассчитанная на изготовление по нормам 3 нм. На данный момент изделие…

15 февраля 2019 г. в Старорусском подразделении А-КОНТРАКТ был открыт расширенный филиал контрактного производства по монтажу электронных блоков. Тогда же была запущена и новая установка селективной пайки электронных блоков SEHO SelectLine.

Снижение перекрестных помех

Один из основных способов снижения перекрестных помех на дальнем конце – это снижение длины связывания между двумя дорожками. В качестве эксперимента длина связывания была уменьшена с 10 дюймов до 5. Был смоделирован еще один нарастающий фронт и результаты этого показаны…

Компания Intel ведёт активные разработки в сфере объемной компоновки микросхем. Об этом специалисты Intel рассказали участникам «Дня архитектуры 2018», который состоялся 12 октября 2018 года. Исследователи Intel уверены: такая технология даст возможность увеличить степень интеграции в условиях,…