Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 3.

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и спада для такого же транзистора с нормальным смещением затвора (то есть без селекторного импульса и последовательности) составляют 59нс и 15 нс соответственно. Очевидно, что должна быть задержка между применением RF импульса и импульса при нагрузке, эта задержка обычно составляет 10 нс.

Критически важным является определение улучшения выходного шума в период отключения импульса, являющегося результатом использования селекторного импульса и схемы задания последовательности. Эти данные приводятся в Таблице 1, из которой видно, что было достигнуто подавление >30дБ. Эти данные получены на 500W транзисторе, который использует 200 мА ток покоя при нормальной работе.

IV. ТЕРМОКОМПЕНСАЦИЯ

Цепь термокомпенсации может быть использована для поддержания постоянной Idq. Стандартное использование показано на Рис.6, где зависящее от температуры напряжение базового эмиттера PNP-транзистора MMBT2907 используется для генерации компенсирующего напряжения. На Рис.7 показано напряжение затвора относительно температуры (для постоянной Idq) для Integra GaN транзистора IGN1214M500. Для этого транзистора требуется приблизительно +0,6 mV/°C компенсация напряжения затвора.

 

V. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Была продемонстрирована необходимость использования селекторного импульса для GaN транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Были описаны новый полностью автоматический селекторный импульс и схема задания последовательности, что снижает ток стока в период отключения импульса до значения утечки тока транзистора. Представленные измерения показывают, что данная схема имеет обычно 100нс время нарастания и 16нс время спада с задержкой импульса 10 нс. При использовании этой схемы эффективность в течение всего времени, как правило, всего на 0,4% меньше, чем коэффициент полезного действия транзистора во время импульса для транзистора мощностью 1 кВт (импульсная схема затвора потребляет <1 Вт, т.е. он снижает КПД на 0,1%, в то время как переключатель  MOSFET -транзистора в стоке ухудшает эффективность на 0,3%). Измеренный выходной шум был снижен на более чем 30 дБ. И наконец был приведен метод обеспечения термокомпенсации.

ССЫЛКИ

[1] integratech.com/ProductDoc.ashx?Id=1233

[2] integratech.com/ProductDoc.ashx?Id=1240

[3] J. Millman, and C.C. Halkias, Electronic Devices and Circuits, New York: McGraw-Hill, 1967, стр. 475.

Статься опубликована в IEEE COMCAS Conference, Ноябрь 2-4, 2015, Тель-Авив, Израиль.

© 2013 IEEE.

Источник:  circuitinsight.com

Задать вопрос