Компания Texas Instruments разработала новую микросхему
Новая микросхема имеет на 80% меньший объём по сравнению с дискретными решениями и на 60% - по сравнению с модулями питания благодаря корпусу выстой 2,65 мм, при этом КПД новой микросхемы больше в 2 раза по сравнению с аналогичными устройствами. Микросхема защищена от высоковольтных бросков напряжения при помощи усиленной изоляции 5 кВ с.к.з. с рабочим напряжением 1,2 кВ с.к.з., что делает её оптимальной для использования в промышленных приложениях в системах промышленного транспорта, сетевой инфраструктуру и в медицинском оборудовании.
Оригинальная технология TI предполагает высокую плотность изолированного DC/DC преобразования при низком уровне электромагнитных помех. При поверхностном монтаже электронных модулей преимуществом низкопрофильных микросхем, выполненных по данной технологии TI, является размещение в одном корпусе конструкции, позволяющей уменьшить количество дополнительных компонентов. При этом микросхема демонстрирует стабильную работу в широком диапазоне температур. Трансформатор микросхемы оптимизирован по уровню излучаемых помех и величине проходной емкости, а схема является малошумящей – всё это делает более простым выполнение требований электромагнитной совместимости, обеспечивая при этом надежное решение с вариантами усиленной или базовой изоляции.
Основные особенности и преимущества новой микросхемы:
- Уменьшенные габариты, повышенная плотность мощности
- Сверхнизкий уровень излучаемых помех
- Усиленная изоляция, широкий температурный диапазон
Источник: rlocman.ru
