Гибкость многослойных керамических конденсаторов. Часть 3

автор перевод: Сергей Шихов | |   Статьи А-КОНТРАКТ

При поддержке компании А-КОНТРАКТ в журнале «Технологии в электронной промышленности» № 6’2020 опубликована новая статья «Гибкость многослойных...

Далее

Кремниевые транзисторы vs карбид-кремниевые транзисторы

|   Новости и обзоры отрасли

Целевые приложения SiC MOSFET на напряжение 650 В компании Infineon Technologies включают системы электропитания с необходимым КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, оптимизированные под корректное функционирование в условиях жестких переключений, и мощные силовые установки.

карбид-кремниевые транзисторы

В последнее время карбид-кремниевая технология становится всё более и более востребованной при разработке низковольтных приложений, поэтому проектировщикам необходимо точно знать, когда традиционные кремниевые MOSFET должны быть заменены на карбид-кремниевые транзисторы.

Вследствие непрерывного улучшения характеристик импульсных источников питания (ИПП) при использовании кремниевой технологии, КПД таких устройств приблизился к максимально возможному.

Это произошло благодаря освоению новых технологий в производстве полупроводниковых устройств, использованию новых способов проектирования и применению новых топологий ИИП. Не так давно были созданы новые технологии изготовления полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны. Именно такой технологией является карбид-кремниевая.

Полупроводниковые компоненты, произведённые по карбид-кремниевой технологии, обладают особыми свойствами, дающими разработчикам возможность проектировать устройства, имеющие большую эффективность.

Тем не менее, есть и минусы: цена карбид-кремниевых компонентов выше, чем у обычных кремниевых. С тех пор как помимо имеющихся   SiC MOSFET на 1200 В были созданы 650-вольтовые компоненты, использование карбид-кремниевых полупроводниковых устройств стало возможным во многих приложениях, где ранее такое решение даже не принималось в расчёт.

Источник: rlocman.ru

Назад