А-КОНТРАКТ: мы внедряем Индустрию 4.0 в контрактное производство электроники

|   Статьи А-КОНТРАКТ

В журнале "Компоненты и Технологии" №8, 2021 было опубликовано интервью с руководителями А-КОНТРАКТ, Максимом Поляничко и Сергеем Фёдоровым. Статья...

Далее

Информация по применению серии AN-007 сравнительный обзор полупроводниковых приборов, выполненных на основе GaN, Si и GaAs для ВЧ- и СВЧ-устройств.

|   Статьи А-КОНТРАКТ

Часть 2.

При поддержке А-КОНТРАКТ в журнале «СВЧ-электроника» №2' 2021 опубликована новая статья.

 

Далее

Высокая энергоэффективность и экологичность новых карбид-кремниевых MOSFET серии CoolSiC

|   Новости и обзоры отрасли

Новая технология появилась в результате сочетания многолетнего опыта работы компании в данной сфере и разработанного ноу-хау в области силовой электроники.

Если сравнить обычные ключи на базе кремния (например, как IGBT и MOSFET) с  карбид-кремниевыми (SiC), то станет очевидным, что последние имеют ряд неоспоримых преимуществ. Устройства  CoolSiC™ производятся на  напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они оптимальны в качестве:

  • инверторов для солнечной энергетики
  • систем хранения энергии
  • электроприводов
  • зарядных устройств
  • ключевых источников питания

Помимо прочего, карбид-кремниевые транзисторы имеют превосходные характеристики, надёжны в эксплуатации и просты в применении в разработках.  Благодаря технологии CoolSiC™ КПД и надёжность карбид-кремниевых MOSFET действительно выводят силовую электронику на качественно новый уровень.

Источник: rlocman.ru

Назад