Диод на основе нанокристаллов — новое слово в создании электронных компонентов

По словам учёных из Алферовского университета, нитрид галлия – очень интересный полупроводник, все свойства которого еще не изучены в полной мере. Характеристики этого материала делают его весьма перспективным для использования в будущем в электронных компонентах устройств силовой электроники, сверхвысокочастотной и оптоэлектроники, а также в электронных модулях, предназначенных для эксплуатации в условиях агрессивных сред и в космическом пространстве.

Диод, который был создан российскими учёными на базе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия, представляет собой полупроводниковый компонент, способный пропускать ток лишь в одном направлении. Существует несколько типов подобных диодов. Отечественные исследователи выбрали для более тщательного исследования диоды Шоттки, функционирование которых основано на энергетическом барьере, существующем на границе металла с полупроводником.

Особенностью российской разработки является уникальное сочетание материальных свойств нитрида галлия и геометрических особенностей нитевидных нанокристаллов. Такая комбинация открывает новые возможности для создания электронных компонентов нового поколения на основе GaN.

По материалам nauka.tass.ru