Изготовление отечественных транзисторов на основе GaN-Si

На данный момент проект находится на этапе завершения строительства участка экспериментального производства транзисторов на основе GaN-Si. Участок полностью автономен от основной производственной линии, а следовательно, даст возможность в перспективе изготавливать не только опытные образцы, но и мелкие серии изделий на подложках нитрида галлия.

По мнению экспертов, нитрид галлия обладает огромными перспективами в свете развития современной электроники. Так, по данным компании Yole Development, мировой рынок силовой электроники на GaN-Si в ближайшие 2 года вырастет на 85%.

Российский рынок СВЧ и силовых транзисторов также в последние пару лет демонстрирует рост, что делает еще более актуальным создание российского серийного производства электронных компонентов на нитриде галлия. Именно в этом направлении осуществляют свою детальность АО «ЗНТЦ» и НИУ МИЭТ в рамках проекта по созданию условий для экспериментального производства кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для изготовления силовой и СВЧ электроники.

По словам руководителя Кристального производства Зеленоградского нано центра, главные преимущества транзисторов на GaN перед устройствами на кремниевых подложках – их быстродействие, надёжность и способность корректно функционировать в условиях высокого напряжения.

По материалам zntc.ru