Исследования в этой области осуществляют специалисты лабораторий новосибирского Института физики полупроводников, где выращивают многослойные пластины. Это непростая задача, т.к. материалы, имеющие разную структуру, подвержены различного рода дефектам. Однако учёные сумели срастить чуждые друг другу материалы для получения кристаллов, которые помогают обеспечить связь между нужными компонентами транзисторов в оборудовании 5G и 6G линий связи.
Суть технологии заключается в том, что кремниевую подложку выдерживают в потоке аммиака, в результате чего на её поверхности образуется тонкий слой нитрида кремния. Затем из получившегося материала формируются зародышевые слои нитридов.
Кристаллы, полученные при помощи такого метода, устойчивы к высоким температурам и высокому напряжению, что делает их перспективными для использования в различных устройствах электроники для медицинского оборудования, систем связи, а также в фотодиодах — приемниках электрического сигнала в телевидении и мобильной связи, для чего из кристаллов создают специальные чипы заданной формы.
На данный момент лаборатории сотрудничают с предприятиями промышленной отрасли, производителями электроники, а в дальнейшем планируется выход на космическую отрасль.
По материалам nsktv.ru