Начата разработка российского безмасочного литографа

Если начинание учёных увенчается успехом, российские производители электроники получат возможность изготавливать микросхемы топологического уровня 28 нм и меньше.

Исследователи МИЭТ намереваются выполнить серию экспериментов для наглядного изучения ключевых технологий по производству безмасочной рентгеновской нанолитографии.

Эксперименты начнутся с создания и тестирования макетов МЭМС динамической маски, которые будут выполнены в 2-х вариантах: с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения и с управлением коэффициентом отражения рентгеновского излучения. Основываясь на полученных данных, учёные смогут составить список характеристик, параметров и свойств, которые определят конструктивную схему литографической установки в целом, а также её главных  базовых узлов - источника рентгеновского излучения, оптической системы (включая МЭМС динамической маски), вакуумной системы, системы совмещения и позиционирования.

Конечной целью проекта является не только разработка технологии, которая позволит обрабатывать полупроводниковые пластины с проектными нормами 28 нм, 16 нм и ниже, но и изготовление соответствующего оборудования на основе действующих и запускаемых в стране синхротронов.

Следует отметить, что как на российском, так и на мировом рынке электроники на данный момент не существует ни аналогов оборудования подобного рода, ни самой технологии безмасочной рентгеновской нанолитографии.

Специалисты МИЭТ говорят о том, что их деятельность на данном этапе – это поисковый аванпроект, по окончании которого учёные получат ответ на вопрос, возможен ли в принципе перенос изображения при помощи МЭМС динамической маски. И если ответ будет положительным, то следующим шагом станет подтверждение того, что система сможет функционировать стабильно и корректно, пройдет необходимые испытания и тестирования. И лишь после этого начнётся этап работы над опытно-конструкторским проектом по созданию литографической установки.

По материалам miet.ru