В ННГУ разрабатывают метод синтеза высокочистого арсенида галлия

Учёные ННГУ предложили разработать российскую технологию получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs). Проект нашёл поддержку, и на его реализацию был выделен грант, который позволит исследователям создать собственный метод выращивания монокристаллического GaAs. Разработка имеет важное значение для импортозамещения в сфере технологий, т.к. на сегодняшний день отечественного способа, позволяющего осуществлять процесс синтеза высокочистого арсенида галлия не существует. Предполагается, что на осуществление проекта потребуется порядка трёх лет.

Специалисты ННГУ уверены, что богатый опыт и имеющаяся научная школа позволят успешно выполнить поставленную задачу и тем самым закрыть потребность внутреннего российского рынка промышленности в высокочистом арсениде галлия. Более того, после освоения технологии планируется экспорт получаемого материала на внешние рыкни.

Производственную базу для проведения исследований и отработки технологий предоставила компания «ЛАССАРД» – один из крупнейших производителей лазерных компонентов в России. Аналитическим партнёром стал Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева.

По материалам pravda-nn.ru