В рамках проекта учёные в теории и экспериментально исследуют возможности получения конденсаторных структур. Так, в ходе одного из испытаний специалистам удалось создать планарные тонкопленочные конденсаторные структуры с диэлектрическим слоем на основе аморфного нитрида алюминия посредством высокочастотного магнетронного распыления подложек при комнатной температуре. Для этой цели учёные использовали вакуумную установку для нанесения пленок металлов и их соединений магнетронного распыления барабанного типа. Исследователи выяснили, что применение в качестве обкладок прозрачных проводящих слоев позволяет получать планарные емкостные структуры для разнообразных оптоэлектронных приложений. Для изучения диэлектрических свойств аморфных слоев нитрида алюминия способом послойного магнетронного осаждения через маски при комнатной температуре учёные создали планарные конденсаторные структуры «хром – нитрид алюминия – хром» и «молибден – нитрид алюминия – молибден».
Работа специалистов Центра важна для реализации программы импортозамещения. Ожидается, что результаты исследований помогут освоить процесс изготовления ряда электронных компонентов, используемых российскими производителями микроэлектроники и изделий РЭА.
По материалам lezgigazet.ru