Созданы самые маленькие транзисторы.
Еще недавно промышленным стандартом производства чипов являлась технология на 14 нм. В данной ситуации под «нанометром» понимаются размеры канала, основного компонента, определяющего размер транзистора. Сегодняшний стандарт для современных чипов – 10нм, некоторые наиболее передовых производителей начинают переходить на технологии, позволяющие изготавливать чипы по 7-нм технологии. Но прогресс не стоит на месте: исследователи в области микроэлектроники, в том числе специалисты из IBM, работают над созданием 5-нм технологического процесса.
Размеры новых транзисторов – всего 2.5 нм. Это в 2 раза меньше размеров даже экспериментальных транзисторов, находящихся в стадии разработки. Ключевым моментом нового технологического процесса является технология микропроизводства, называемая термальной атомной послойной гравировкой (thermal atomic layer etching, thermal ALE). В этом процессе берется заготовка из полупроводникового материала, арсенида галлия-индия, которая подвергается обработке фторидом водорода, что позволяет получить на поверхности полупроводника тончайший слой фторида металла.
После этого полученное основание обрабатывается органическим веществом под названием DMAC (dimethylaluminum chloride), которое вступает в химическую реакцию с фторидом металла. Когда вещество DMAC, нанесенное на определенные участки поверхности, удаляется, вместе с ним и удаляется тончайший атомарный слой металла. За один этап такой обработки снимается слой металла в 0.02 нм, что позволяет выполнить необычайно высокоточную гравировку, для которой требуется повторение процесса сотни и тысячи раз.
Учёные применили новую технологию гравировки для того, чтобы изготовить FinFET-транзистор (Fin Field-effect transistor), т.е. транзисторов с трёхмерной структурой, которые всё больше и больше применяются при изготовлении изделий РЭА.
Наряду с миниатюрными размерами новые транзисторы на 60% превышают свои большеразмерные аналоги по основным рабочим характеристикам. При этом необычайно высокое соотношение сопротивления канала в закрытом и открытом состоянии делает новые транзисторы крайне эффективными с точки зрения потребляемой ими для работы энергии.
Источник: asc-development.ru
