Напомним, что попытки учёных создать прочный материал толщиной в несколько атомов длятся почти 10 лет. Впервые материал толщиной в несколько атомов, графен, был получен в 2004. Однако эксперименты с использованием такого материала для изготовления микросхем показали, что хрупкость и наличие локальных дефектов не позволяют использовать такой материал в производстве электроники.
Исследователи из Саудовской Аравии нашли решение этой проблемы. Они разработали новый способ нанесения двумерного материала на микросхему. Учёные создали микросхему со стандартными КМОП-элементами на одной стороне и провели соединения сквозь плату на другую сторону, на которую можно было надежно нанести двумерный материал (гексагональный нитрид бора на медной подложке) в виде небольших площадок размером менее 0,25 микрометра. Толщина такого материала составляет всего 18 атомов, что позволяет использовать его в качестве мемристора*. Элементы были размещены в виде сетки размером 5 на 5 элементов — один мемристор на один транзистор, управляющий током, протекающим через мемристор.
Учёные считают, что их разработка в будущем найдёт широкое применение в производстве электроники.
По материалам www.osp.ru
*Мемристор - (от англ. memory — память, и англ. resistor — электрическое сопротивление) — пассивный электрический элемент, двухполюсник в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда (интеграла тока по времени).
Источник: ru.wikipedia.org