Формирование микровыводов припоя на уровне пластины
Введение
Для формирования электрических соединений между контактными площадками кристалла полупроводниковой микросхемы и выводами корпуса или же контактными площадками печатной платы традиционно применялась разварка с использованием проволоки из Al, Au или Cu.
Данный метод, безусловно, является достаточно надёжным и не вызывает технологических сложностей, но вместе с тем в некоторых случаях он становится непригодным. Например, в ситуации, когда требуется, чтобы размеры микросхемы в корпусе не превышали (или незначительно превышали) размеры её кристалла (chip scale packaging). Также весьма нежелательно применять проволочную разварку в изделиях с высокой скоростью обработки сигнала и максимально возможной эффективностью потребления энергии, т.к. проволочная разварка даёт большие значения паразитных индуктивностей, сопротивлений и ёмкостей. Разварка проволокой ограниченно применима и при корпусировании 2,5D и 3D (chip-to-wafer, chip-to-chip, stacked chip), что на данный момент является передовой технологией.
По материалам: ВЕКТОР Высоких Технологий №1 (36) 2018
