Компания IBM создала новую технологию, позволяющую разместить 30 миллиардов транзисторов на чип, размером не более ногтя.

Следует отметить, что описываемая технология базируется на разработке 7-нм технологии, осуществлённой IBM в 2015 году совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung. По технологии 7-нм  стало возможным размещение 20 млрд транзисторов на кристалле благодаря использованию новых материалов и технологий. Уменьшение размеров транзистора до 5 нм даст возможность поместить на кристалл чипа еще 10 миллиардов транзисторов.

Напомним, что  5-нм чипы изготавливаются посредством наложения друг на друга нескольких слоев кремниевых нано-листов. Такая структура позволяет давать управляющий сигнал одновременно на четыре отдельных затвора транзистора, а у транзисторов FinFET было лишь три независимых затвора и три канала. 5-нм транзисторы производятся  с использованием ультрафиолетовой литографии (Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL), что даёт возможность "рисовать" образы на подложке при помощи более коротковолнового и высокоэнергетического излучения, нежели другие методы. Это, в свою очередь, означает, что при помощи такого метода можно создавать более маленькие элементы чипов с более высоким качеством. Таким образом, новая технология EUVL осуществляет непрерывную адаптационную регулировку прямо в процессе производства.

Добавим также, что 5-нм чипы обладают в 40 раз большей производительностью, чем 10-нм чипами, при этом количество необходимой энергии снизится на 75% при  выполнении процессором специально оптимизированных для него задач. Однако первые коммерческие 5-нм чипы появятся на рынке не ранее, чем через 4-5 лет.

По данным dailytechinfo.org