Наиболее сильноточные в отрасли мощные GaN транзисторы от компании GaN Systems

18.06.2019 | Новости Рынок электроники ● a-contract.ru

Компания GaN Systems объявила о создании самых сильноточных в отрасли 650-вольтовых GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов (E-HEMT), тем самым добавив к своей линейке GaN продуктов 150-амперные приборы GS-065-150-1-D и 80-амперные GS-065-080-1-D. Так например, транзистор 150 А/650 В превышает показатели любого другого силового GaN транзистора, имеющегося на современном рынке, как по току (80 А при 22 мОм), так и по сопротивлению (50 А при 18 мОм).

Современные мощные системы обязаны соответствовать предъявляемым требованиям, а именно: обеспечивать достижение максимально высоких рабочих токов, значений КПД при минимальных размере и весе.

Новейшая разработка GaN Systems - транзисторы с самыми большими рабочими токами - создана специально для применения на рынках автомобилестроения, промышленности и рынка возобновляемой энергии.

Перечень приложений новых транзисторов включает:

Тяговые инверторы (от 75 кВт до 150 кВт) и бортовые зарядные устройства (от 6.6 кВт до 22 кВт) электрических транспортных средств;
Системы хранения энергии и инверторы солнечных электростанций мощностью до 50 кВт и выше;
Приводы и контроллеры промышленных двигателей мощностью до 10 кВт и выше.

Транзисторы поступают в продажу в форме кристаллов, которые в дальнейшем можно встроить в силовые модули разнообразных конструкций. Возможно использование кристаллов в модулях для изготовления мощных полумостовых, полномостовых и трехфазных конфигураций с интегрированными схемами драйверов затворов, оптимизированных для дифференциации решений своих конечных потребителей.

Источник: rlocman.ru