На средства, выделенные из федерального бюджета, было подготовлено помещение лаборатории и закуплено современное оборудование для проведения исследовательской деятельность, направленной на создание российской элементной базы для устройств специального и гражданского назначения с применением технологии нитрид галлия на кремнии. Кроме того на базе лаборатории будет проводиться обучение студентов и повышение квалификации специалистов, работающих на производственных предприятиях региона.
Преимуществами нитрид-галлиевых технологий являются существенное снижение статических потерь, увеличение рабочих частот, повышение скорости переключения, получение больших выходных токов без потери эффективности и рост КПД. Результатом применения таких технологий станет возможность уменьшения габаритов электронных устройств с сохранением их рабочих параметров в полном объёме.
На сегодняшний день GaN технологии еще мало востребованы среди российских промышленных компаний. Однако создатели лаборатории выразили уверенность в том, что передовые нитрид-галлиевые технологии, открывающие большие перспективы в сфере производства электроники, вскоре получат широкое распространение и будут применяться на заводах отечественных предприятий.
По материалам rg.ru