Российские оптоволоконные системы связи будут изготавливаться на отечественной компонентой базе

Проект рассчитан на два года, реализуется в рамках государственной программы импортозамещения и призван сократить зависимость российской электроники от импортной комплектации. Результатом разработки станет создание фотоприемных устройств на основе полупроводников АЗВ5. Ожидается, что исследователи опишут технологию изготовления и продемонстрируют макет фотодиода, который будет функционировать в линейном режиме, поглощая оптический сигнал — фотон и порождая электрон — электрический ток.

На данный момент учёные лаборатории уже сумели разработать технологию создания мощных светящихся диодов, разделенных на отдельные чипы или кристаллы, а также фотодиодов для «режима Гейгера», еще не разделенные.

Параллельно с этим другая группа исследователей ведёт работы в области технологий выращивания полупроводникового лазера диапазона 1,5 мкм, который найдёт своё применение в телекоммуникациях, системах связи и при передаче информации по оптоволокну.

Таким образом, разработки сотрудников Института физики полупроводников СО РАН позволят производить оптико-волоконную технику на отечественной компонентной базе, включающей:

• источник излучения — лазер
• модулятор второй волны
• фотоприемник, переводящий информацию на второй волне обратно в электронный сигнал

По материалам: infopro54.ru