Создан новый транзистор, который может изменить современную электронику

В основе устройства - сегнетоэлектрический материал, который искусственно уложен в параллельную конфигурацию. Под воздействием электрического поля слои материала начинают скользить друг по другу, это приводит к изменениям в положении атомов бора и азота, что, в свою очередь, оказывает значительное влияние на электронные свойства материала. Благодаря своей минимальной толщине слои сегнетоэлектрического материала могут быть упакованы гораздо плотнее, чем это доступно для используемых сегодня в электронике полупроводников. Такое решение не только увеличивает производительность устройства, но и повышает его энергоэффективность. По мнению учёных, это является ключевым преимуществом нового транзистора, которое окажется чрезвычайно полезным для применений в устройствах обработки данных при помощи ИИ, ведь именно ограничения по мощности сегодня является тем фактором, который сдерживает дальнейшее развитие центров обработки данных.

Раскрывая подробнее уникальные свойства созданного транзистора, разработчики отмечают высокую скорость, с которой устройство способно менять состояние заряда (доли наносекунды по сравнению с несколькими сотнями наносекунд у аналогов). Кроме того, новый транзистор отличается долговечностью: результаты экспериментов показывают, что даже после 100 миллиардов переключений не было обнаружено признаков деградации.

На сегодняшний день перед учёными  стоит задача по разработке технологии, которая позволит запустить новый вид транзисторов в серийное производство, что, в свою очередь, даст новый толчок развитию электроники, особенно в сфере создания устройств для обработки данных с применением искусственного интеллекта.

По материалам russianelectronics.ru