Даты проведения: 26 - 28 августа 2014
Место проведения: Москва, ЦВК«Экспоцентр»
15-й Международный форум и выставка «Высокие технологии XXI века. Инновации на пространстве ШОС» «ВТ–XXI-ШОС' 2014» («Исследования. Разработки. Трансфер. Инновации»)
Проводится в соответствии с Планом основных мероприятий в связи с председательством Российской Федерации в Шанхайской организации сотрудничества в 2014 – 2015 годах, подготовленным на основании Указа Президента Российской Федерации от 11 октября 2012 г. № 1352.
При поддержке Делового Совета Шанхайской организации сотрудничества (ШОС), Правительства Российской Федерации, Правительства Москвы, Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Федерального космического агентства, Госкорпорации «Росатом», Российской академии наук, Торгово-промышленной палаты Российской Федерации, Фонда «Сколково», ОАО «Роснано».
Цель Форума и выставки – содействие расширению проектного сотрудничества на экономическом пространстве ШОС в области высоких технологий.
В выставочной программе пройдут презентации создаваемых в странах ШОС новых амбиционных инновационных проектов в сфере ТЭК, энергетического машиностроения, экологии и производства новых материалов, развития инфраструктуры городов.
В рамках конгрессных мероприятий Форума состоится обсуждение актуальных вопросов технологического сотрудничества стран ШОС в области прорывных технологии для обеспечения энергетической, продовольственной и экологической безопасности, обмена информацией о новейших энергосберегающих технологиях, инновационных решениях в сфере природоохранных мероприятий, перспективных биотехнологий и «зеленых» технологий в странах ШОС.
Исследователи разработали мемристор на основе синтетической ДНК и кристаллического перовскита. Устройство сочетает высокую плотность хранения данных,…
Российские исследователи разработали интеллектуальный модуль «нейропамяти» для беспилотных летательных аппаратов. Система предназначена для…
Перекрёстные помехи (Crosstalk) возникают, когда высокоскоростные сигналы одного канала из-за краевых электрических и магнитных полей создают…
Излучатель с поперечным размером около 60 нанометров и беспрецедентно узкой полосой генерации — примерно 0,15 нанометра — удалось получить…
Исследовательская группа из Лаборатории биоэлектроники и микросистем Бингемтонского университета разработала технологию производства электронных схем…
Исследователи из Индии разработали молекулярный мемристор. Как сообщается, устройство характеризуется 14-битным аналоговым разрешением и…
С 8 по 10 июля компания приняла участие в Международной выставке ДРОНЭКСПО-2026 в Казани.