970 найдено:
Современные спутники будут оснащены отечественными микросхемами 
Исследователи компании «ИСС» им. Академика М. Ф. Решетнёва» создали микросхемы для бортовых сетей SpaceWire.Проект по разработке микросхем был реализован по контракту с Министерством промышленности и торговли РФ. В рамках данного заказа специалисты «ИСС» им. Академика М. Ф. Решетнёва» создали опытный образец микросхемы космического применения, который успешно прошёл все Гибкие подложки для интеллектуальных сенсорных устройств. Часть 2 
Встраивание кремниевых кристалловПолупроводниковые кристаллы могут быть встроены между слоями подложки, чтобы изолировать их от окружающей среды. Полупроводниковые площадки соединяются через просверленные лазером, покрытые металлом переходные отверстия к слою перераспределения и разветвления на следующем ЖКП слое.Д-р Экардт Бихлер (Dr. Eckardt Bihler), д-р Марк Хауэр (Dr. Marc Hauer), Биргит Н Гибкие подложки для интеллектуальных сенсорных устройств. Часть 1 
Инновационный подход, предлагающий миниатюрные, герметичные, биостойкие и высоконадежные модули с интеллектуальными датчикамиД-р Экардт Бихлер (Dr. Eckardt Bihler), д-р Марк Хауэр (Dr. Marc Hauer), Биргит Нойбауэр (Birgit Neubauer) РЕЗЮМЕТребования для интеллектуальных датчиков очень разнообразны: миниатюрные, высоконадежные и способные к интегрированию, эффективные по затратам, герметичны Составные чипы SoIC покоряют рынок 
Сегодня компании, занимающиеся изготовлением вычислительной техники, всё чаще используют многослойные чипы памяти 3D NAND, т.к. такие микросхемы дают возможность существенно расширить объёмы хранилищ данных, не увеличивая при этом площадь под чипом на печатной плате.Технология SoIC позволяет масштабировать кристаллы как горизонтально, так и в вертикальной упаковке по принципу слоёв 3D NAND. На чём основаны шины DDR 
Среди всех используемых сегодня высокоскоростных шин памяти наибольшее распространение получила шина DDR. Конструкция данного вида шин не представляет собой ничего сложного и её использование сопряжено всего лишь с несколькими ключевыми принципами. Однако при этом разработка DDR шин имеет ряд «подводных камней», которые создают сложности и могут привести к ошибке при отсутствии достаточного опыта Кремниевые транзисторы vs карбид-кремниевые транзисторы 
Целевые приложения SiC MOSFET на напряжение 650 В компании Infineon Technologies включают системы электропитания с необходимым КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, оптимизированные под корректное функционирование в условиях жестких переключений, и мощные силовые установки.В последнее время карбид-кремниевая технология становится всё более и более востребованной при разработке низковольтных Измерения сопротивления стали еще более точными! 
Специалисты холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех усовершенствовали российский тераомметр (прибор, предназначенный для тестирования качества электронных компонентов), сделав его еще более точным. В ходе испытаний разработчики продемонстрировали метрологические характеристики нового тераомметра, которые полностью отвечают требованиям второго разряда по гос. проверочной схеме для приборов и Преимущества неидеальных электродов 
Элементы памяти, широко применяемые сегодня, вскоре уступят место более перспективным запоминающим устройствам, действие которых основано на принципе переключения сопротивления. Учёные из группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с исследователями из Кореи выяснили, какое воздействие оказывает дефект поверхности электрода на характеристики ячейки резистивной памяти. Так с возрастанием толщин Спектральная эффективность и стабильность температуры фильтра 
Спектральная эффективность или эффективность использования полосы частот говорит нам о пропускной способности канала свыше полосы пропускания 1 Гц. Это оценка эффективности физического протокола уровня, когда дело касается использования доступного спектра. Высокие спектральные эффективности получаются от инновационного использования таких инструментов, как схемы модуляции и MIMO (множественные вхо Efficient Power Conversion (EPC) анонсировала выпуск нового транзистора. 
Компания EPC выпустила на рынок новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059. По словам разработчиков, эта модель на сегодняшний день является лучшей по техническим характеристикам среди аналогичных устройств. По сравнению с другими приборами данного класса EPC2059 обладает сопротивлением открытого канала 6.8 мОм, а также уменьшенными габаритами, повышенной эффективностью и более низкой ценой. Оригинальные счётчики отечественного производства скоро появятся на рынке РФ. 
В ходе реализации программы импортозамещения в России был разработан новый продукт – умный счётчик электроэнергии, созданный на базе отечественного микроконтроллера, изготовленного НИИ электронной техники (АО «НИИЭТ»). Новый счётчик будет также иметь уникальный российский дизайн. Планируется, что новый счётчик, который получит название «Булат 24», выйдет на рынок в начале 2022 г., и первая партия Огромная микросхема от Cerebras поражает своими габаритами 
В 2019 г. компания Cerebras выпустила очень необычную микросхему под названием Wafer Scale Engine . Новая микросхема обладает огромными размерами, сопоставимыми с габаритами устройства iPad Pro. При этом Wafer Scale Engine имеет 1,2 трлн транзисторов и требует мощность в 15 кВт для функционирования. По неофициальным данным стоимость гигантской микросхемы составляет порядка 2 млн $.Однако раз Новые процессоры с архитектурой КОМДИВ были созданы отечественными специалистами. 
По данным профильного информационного портала «Техносфера», процессор 4-ого поколения с архитектурой КОМДИВ65, который является разработкой отечественных специалистов, находится на завершающем этапе создания. Следует отметить, что российский процессор спроектирован в соответствии со всеми требованиями программы импортозамещения: при его изготовлении применяются только российские микросхемы, чипы и Импульсный генератор GaN HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов). Часть 2 
3. РАБОТА СХЕМЫКак показано на Рис.3, чтобы соответствовать требованиям по высокому току (до 20А) и для упрощения схемы управления переключением DC питания стока был выбран Р-канальный полевой транзистор 100 В MOSFET SQM120P10.Этот Р-канальный MOSFET имеет очень низкое сопротивление при включении и следующие параметры: • Vds (В)= -100 В • Rds(on) (Ω)= 0.0101 @ Vgs = -10 В • Rds(on) ( Импульсный генератор GaN HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов). Часть 1. 
1. ВВЕДЕНИЕВо многих устройствах, таких как военные, метеорологические или морские радары, ВЧ усилители мощности используются в импульсном режиме. Обычно ВЧ сигнал является импульсным, тогда как смещение постоянного тока, используемого для питания транзистора до установленного значения, является постоянным. Однако в других устройствах импульсное смещение постоянного тока позволяет снизить помехи Результаты поиска 501 — 520 из 970
Поиск занял 180 мс.
