Материалы, полупроводники

Исследователи из Сколтеха создали самособирающийся 3D-нанокомпозит. Новые материал обладает высокой теплопроводностью в плоскости и из плоскости пленки материала, высоким удельным электрическим сопротивлением и высокой гидрофобностью, что делает весьма перспективным его применение при изготовлении…

Уникальная установка для ядерного легирования кремния предельно большого диаметра — более 200 мм, была запущена для промышленного применения на базе исследовательского реактора Томского политехнического университета (ТПУ). Следует отметить, что в мире таких установок лишь несколько, а в России –…

По данным аналитиков из TrendForce, мировой рынок контрактного производства полупроводников снижает темпы роста. По подсчётам экспертов, во II кв. 2022 г. совокупный доход десяти крупнейших компаний-производителей микрочипов составил порядка 33 млрд $, что всего на 3,9% больше, чем в I кв. 2022 г.…

«Росэлектроника» объявила о создании материала нового поколения для изготовления СВЧ-печатных плат. Применение нового материала даст возможность уменьшить габариты печатных плат, увеличить скорость передачи данных, а также избавит производителей от необходимости закупать дорогие иностранные…

Группа учёных из ЭТУ ЛЭТИ и ГОИ им. С.И. Вавилова спроектировала защитные покрытия для ZnS-материалов.

На сегодняшний день учёным известно несколько материалов, в состав которых входят лишь атомы углерода. Часть из этих материалов имеет естественное происхождение, часть – была искусственно синтезирована. Каждый такой материал обладает собственным набором характеристик и свойств, что даёт широкие…

Группа учёных из Сколтеха и МГУ опубликовала в журнале Chemical Science результаты своей работы с инновационным материалом NiBTA. Исследователям удалось выяснить принципы хранения заряда для NiBTA, что в перспективе поможет в разработке новых аккумуляторов с быстрой зарядкой.

Специалисты из «Росэлектроники» сообщили о своей новой разработке - монокристаллическом кремнии на основе российских материалов. Производство отечественного кремния даст возможность полностью отказаться от иностранного материала при изготовлении электронных силовых приборов.

Известно, что технологии, использующие кремниевые полупроводники для создания электроники, почти подошли к той границе, за которой уже невозможно достичь меньших габаритов и большего быстродействия устройств.