Многофункциональный p-n-диод на нанопроволоках GaN/AlGaN для детектирования, обработки и хранения данных

Обычные p-n-диоды обеспечивают прохождение тока только в одном направлении и выполняют одну функцию. Для вычислений, хранения данных или детектирования сигналов требуются дополнительные компоненты. Новая разработка основана на вертикально выращенных нанопроволоках с трёхслойной структурой: полупроводник p-типа GaN, полупроводник n-типа AlGaN с широкой запрещённой зоной и полупроводник n-типа GaN. Слой AlGaN, расположенный между двумя другими, действует как барьер, создавая резервуар для электронов.

Устройство демонстрирует фоточувствительность с настройкой смещения (чувствительность 10,45 мА/Вт), фотосинаптическое поведение с коэффициентом фасилитации парных импульсов до 122% и фотопамять с восемью линейными состояниями.

В ходе испытаний диод успешно выполнял функции детектирования, обработки и хранения данных в одном устройстве. Исследователи создали на его основе компактный датчик для сбора и анализа изображений.

Разработка таких многофункциональных компонентов выглядит перспективной в рамках создания электроники для оборудования ЦОД новго поколения. 

По материалам: https://russianelectronics.ru